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公开(公告)号：CN104252867B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410294225.2
申请日：2014-06-26
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： E·W·辛格尔顿 , K·尼古拉维 , 谭利文 , 李宰荣 , V·B·萨波日尼科夫 , M·S·U·帕特瓦瑞
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996
摘要： 本发明涉及磁阻传感器。此处公开的设备包括具有第一层的传感器叠层以及与第一层接近的AFM稳定的底部护罩，其中AFM稳定的底部护罩被磁耦合至第一层。
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公开(公告)号：CN103854666B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201310628907.8
申请日：2013-11-29
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： S·E·麦肯雷 , 谭利文 , E·W·辛格尔顿 , M·S·U·帕特瓦瑞 , V·B·萨波日尼科夫
IPC分类号： G11B5/11
CPC分类号： G11B5/48 , G01R33/093 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , H01F10/3272
摘要： 本申请公开了具有耦合侧面屏蔽的磁性元件。根据各种实施例，磁性元件可以被构造为数据读取器。该磁性元件可以具有至少一个磁读取器，该磁读取器接触顶部屏蔽并与空气承载表面（ABS）上的侧面屏蔽分离。侧面屏蔽可以通过安置在顶部和侧面屏蔽之间的耦合层被反铁磁性地耦合到顶部屏蔽。
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公开(公告)号：CN103515528B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310253576.4
申请日：2013-06-24
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： H01L43/02 , G01R33/098
摘要： 本发明涉及包括钽合金层的器件。一种器件，该器件包括传感器叠层，该传感器叠层包括参考层、自由层以及位于该参考层和该自由层之间的阻挡层；籽层；以及覆层，其中该传感器叠层位于该籽层和该覆层之间，并且其中该籽层或该覆层中的至少一层包括TaX，其中X是从Cr、V、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、W或其组合中选择的。
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公开(公告)号：CN103854666A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310628907.8
申请日：2013-11-29
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： S·E·麦肯雷 , 谭利文 , E·W·辛格尔顿 , M·S·U·帕特瓦瑞 , V·B·萨波日尼科夫
IPC分类号： G11B5/11
CPC分类号： G11B5/48 , G01R33/093 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , H01F10/3272
摘要： 本申请公开了具有耦合侧面屏蔽的磁性元件。根据各种实施例，磁性元件可以被构造为数据读取器。该磁性元件可以具有至少一个磁读取器，该磁读取器接触顶部屏蔽并与空气承载表面（ABS）上的侧面屏蔽分离。侧面屏蔽可以通过安置在顶部和侧面屏蔽之间的耦合层被反铁磁性地耦合到顶部屏蔽。
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公开(公告)号：CN103515528A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310253576.4
申请日：2013-06-24
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： H01L43/02 , G01R33/098
摘要： 本发明涉及包括钽合金层的器件。一种器件，该器件包括传感器叠层，该传感器叠层包括参考层、自由层以及位于该参考层和该自由层之间的阻挡层；籽层；以及覆层，其中该传感器叠层位于该籽层和该覆层之间，并且其中该籽层或该覆层中的至少一层包括TaX，其中X是从Cr、V、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、W或其组合中选择的。
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公开(公告)号：CN104715765A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410767077.1
申请日：2014-12-12
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G01R33/007 , G01R33/025 , G01R33/098 , G11B5/3916 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/1121
摘要： 本申请公开了磁阻传感器屏蔽。本文所公开的实施方式提供用于包括合成反铁磁(SAF)结构的磁阻(MR)传感器，SAF结构磁耦合到侧屏蔽元件。SAF结构包括至少一个由铁磁材料与耐火材料组成的合金的非晶磁性层。非晶磁性层可以与非磁性层接触并且反铁磁性耦合到与非磁性层的相反表面接触的层。
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公开(公告)号：CN104050978A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095508.4
申请日：2014-03-14
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3116 , G11B5/115 , G11B5/3163 , G11B5/3912 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , Y10T156/10
摘要： 本申请公开了底屏蔽稳定的磁晶种层。通常能感测数据位的数据读取器可经配置至少具有磁性叠层，所述磁性叠层在磁晶种层上具有自由和固定的磁化结构。底屏蔽可置于接触地邻近相对于顶屏蔽的磁性叠层，底屏蔽具有设置为预定磁取向的定钉扎磁性。
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公开(公告)号：CN105096967B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510203637.5
申请日：2015-04-24
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3153 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B2005/3996
摘要： 本申请公开了传感器叠层结构。诸如磁存储设备的读取器叠层，该叠层包括顶部合成反铁磁(SAF)层、毗邻于顶部SAF层的磁覆盖层、毗邻于磁覆盖层并与顶部SAF层相对的RKKY耦合层以及毗邻于RKKY耦合层并与磁覆盖层相对的自由层。还包括一种方法，该方法通过使用位于自由层和顶部合成反铁磁(SAF)层之间的具有RKKY耦合特性的层和在SAF层和具有RKKY耦合特性的层之间的磁覆盖层提供自由层和顶SAF层之间的交换耦合，而使读取器叠层内的自由层偏置。
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公开(公告)号：CN104715765B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201410767077.1
申请日：2014-12-12
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G01R33/007 , G01R33/025 , G01R33/098 , G11B5/3916 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/1121
摘要： 本申请公开了磁阻传感器屏蔽。本文所公开的实施方式提供用于包括合成反铁磁(SAF)结构的磁阻(MR)传感器，SAF结构磁耦合到侧屏蔽元件。SAF结构包括至少一个由铁磁材料与耐火材料组成的合金的非晶磁性层。非晶磁性层可以与非磁性层接触并且反铁磁性耦合到与非磁性层的相反表面接触的层。
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公开(公告)号：CN105096967A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510203637.5
申请日：2015-04-24
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3153 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B2005/3996
摘要： 本申请公开了传感器叠层结构。诸如磁存储设备的读取器叠层，该叠层包括顶部合成反铁磁(SAF)层、毗邻于顶部SAF层的磁覆盖层、毗邻于磁覆盖层并与顶部SAF层相对的RKKY耦合层以及毗邻于RKKY耦合层并与磁覆盖层相对的自由层。还包括一种方法，该方法通过使用位于自由层和顶部合成反铁磁(SAF)层之间的具有RKKY耦合特性的层和在SAF层和具有RKKY耦合特性的层之间的磁覆盖层提供自由层和顶SAF层之间的交换耦合，而使读取器叠层内的自由层偏置。
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