-
公开(公告)号：CN103854670B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310109331.4
申请日：2013-03-29
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3932 , G11B5/398
摘要： 本发明提供一种具有交叉的各向异性的磁性元件。一种磁性元件可配置有至少一个磁性叠层，该磁性叠层具有第一和第二磁性自由层，这些磁性自由层中的每一个具有与空气承载表面(ABS)相距的预定条纹高度。第一和第二磁性自由层可各自配置有相对于ABS交叉并响应于预定条纹高度成角度的第一和第二单轴各向异性。
-
公开(公告)号：CN105096967A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510203637.5
申请日：2015-04-24
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3153 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B2005/3996
摘要： 本申请公开了传感器叠层结构。诸如磁存储设备的读取器叠层，该叠层包括顶部合成反铁磁(SAF)层、毗邻于顶部SAF层的磁覆盖层、毗邻于磁覆盖层并与顶部SAF层相对的RKKY耦合层以及毗邻于RKKY耦合层并与磁覆盖层相对的自由层。还包括一种方法，该方法通过使用位于自由层和顶部合成反铁磁(SAF)层之间的具有RKKY耦合特性的层和在SAF层和具有RKKY耦合特性的层之间的磁覆盖层提供自由层和顶SAF层之间的交换耦合，而使读取器叠层内的自由层偏置。
-
公开(公告)号：CN102298932B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110115828.8
申请日：2011-03-18
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
摘要： 本发明公开了一种在ABS处具有电流约束的三层读取器。描述了一种敏感度和稳定性都得到改进的磁阻读取传感器。该传感器是位于两个电极之间的三层堆栈。该三层堆栈具有由非磁性层间隔的两层自由层以及位于堆栈后与空气承载表面分离距离为条带高度的偏置磁体。传感器中的电流被绝缘层约束到接近空气承载表面的区域，从而使得读取器敏感度得到增强。
-
公开(公告)号：CN103871427A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310670439.0
申请日：2013-12-10
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： V·B·萨波日尼科夫 , M·S·U·帕特瓦瑞 , S·E·麦肯雷 , K·R·尼克拉厄弗 , E·W·辛格尔顿 , 李宰荣
CPC分类号： G11B5/11 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11C11/161
摘要： 本申请公开了具有变化的各向异性的侧屏蔽。各实施例一般针对一种具有至少磁性元件的数据存储设备，该磁性元件具有在空气承载表面(ABS)上位于至少一个侧屏蔽附近并与之隔离的磁性叠层。侧屏蔽可配置有沿下道方向的预定的各向异性差异。
-
公开(公告)号：CN102810318A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210152859.5
申请日：2012-05-04
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3912 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B5/398 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 一种能够增强磁性读取的磁屏蔽体。根据各实施例，磁性元件具有磁性响应性叠层，该叠层被至少一个横向侧屏蔽体屏蔽免受磁通量并被偏磁到预先确定的默认磁化效应，该屏蔽体具有位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层。
-
公开(公告)号：CN102298932A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110115828.8
申请日：2011-03-18
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
摘要： 本发明公开了一种在ABS处具有电流约束的三层读取器。描述了一种敏感度和稳定性都得到改进的磁阻读取传感器。该传感器是位于两个电极之间的三层堆栈。该三层堆栈具有由非磁性层间隔的两层自由层以及位于堆栈后与空气承载表面分离距离为条带高度的偏置磁体。传感器中的电流被绝缘层约束到接近空气承载表面的区域，从而使得读取器敏感度得到增强。
-
公开(公告)号：CN101488554A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910007723.3
申请日：2007-02-16
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3932
摘要： 本发明的磁阻效应元件的制造方法包括下列步骤：形成构造体，该构造体包括：包括磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、磁化方向固定于一个方向的磁化固定层、以及置于磁化自由层和磁化固定层之间的中间层的磁阻效应薄膜；置于磁阻效应薄膜的磁化固定层上的磁耦合层；置于磁耦合层上的铁磁层；置于铁磁层上的反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面平行并与磁化固定层的磁化方向垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部；以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极；以及对磁化自由层赋予初始磁化方向，该初始磁化方向相对于磁化固定层的磁化方向的角度大于等于100°且小于160°。
-
公开(公告)号：CN100483512C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610137368.8
申请日：2006-10-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： C23C8/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C8/34 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , G11B5/3163 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3268 , H01F41/305
摘要： 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。
-
公开(公告)号：CN100456511C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN03822880.7
申请日：2003-03-27
申请人： 富士通株式会社
发明人： 大岛弘敬
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
摘要： 一种CPP结构的磁阻效应设备(35)，其中沿着磁阻薄膜(44)前部边缘横过磁阻薄膜(44)的第一区域(45a)在磁区控制薄膜(45)上形成，具有第一磁场强度的第一偏磁场在第一区域(45a)建立，沿着磁阻薄膜(44)后部边缘横过磁阻薄膜(44)的第二磁场强度的第二区域(45b)形成，具有第二磁场强度的第二偏磁场在第二区域(45b)建立，该第二磁场强度大于第一磁场强度，并且第二区域(45b)的厚度大于第一区域(45a)的厚度，以便建立第一和第二磁场强度。在这样一种CPP结构磁阻效应设备(35)中，具有大电流值的感测电流可以流过磁阻效应薄膜(44)。进一步，可以确保磁阻效应薄膜(44)的足够高的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN100452175C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610092406.2
申请日：2006-05-26
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3929 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 本发明的磁阻效应元件，包括：3层或以上的金属磁性层；所述3层或以上的金属磁性层间设置的磁性连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述3层或以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转，以便最底层的金属磁性层的磁化方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向正交。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
160 条记录 (耗时 0.022 秒)
