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公开(公告)号：CN107343386A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201580076375.9
申请日：2015-02-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H02J50/12
Abstract: 本发明提供能够调整受电效率的受电器和电力传送系统。受电器包括：具有谐振线圈部并通过与初级侧谐振线圈之间产生的磁场共振而接受电力的次级侧谐振线圈；被串联插入至次级侧谐振线圈的电容器；与电容器并联连接的第一以及第二开关的串联电路；与第一开关并联连接的第一整流元件；与第二开关并联连接并具有与第一整流元件相反的整流方向的第二整流元件；对与供电频率同一频率的电压波形或者电流波形进行检测的单元；以及通过在将检测部检测出的电压波形或者电流波形与切换第一开关的接通/断开的第一信号以及切换第二开关的接通/断开的第二信号的相位差调整为规定的相位差的状态下，调整第一开关以及第二开关都接通的期间的长度，从而调整次级侧谐振线圈接受的电力量的控制部。
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公开(公告)号：CN1921167A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610092533.2
申请日：2006-06-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01F10/16 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/10 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及磁阻效应元件、磁头、磁存储装置及磁内存装置。本发明公开一种CPP型磁阻效应元件，包括：固定磁化层；非磁性层；以及由CoFeAl形成的自由磁化层。CoFeAl的成分落入由在三元成分图中依次连接点A、B、C、D、E、F和A的多条直线所限定的范围内。点A为(55，10，35)，点B为(50，15，35)，点C为(50，20，30)，点D为(55，25，20)，点E为(60，25，15)，以及点F为(70，15，15)，其中每个点的成分坐标由(Co含量，Fe含量，Al含量)表示，每个含量由原子百分比表示。
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公开(公告)号：CN1835084A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510083660.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , H01F10/14 , H01F10/30 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。
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公开(公告)号：CN1685536A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822880.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大岛弘敬
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种CPP结构的磁阻效应设备(35)，其中沿着磁阻薄膜(44)前部边缘横过磁阻薄膜(44)的第一区域(45a)在磁区控制薄膜(45)上形成，具有第一磁场强度的第一偏磁场在第一区域(45a)建立，沿着磁阻薄膜(44)后部边缘横过磁阻薄膜(44)的第二磁场强度的第二区域(45b)形成，具有第二磁场强度的第二偏磁场在第二区域(45b)建立，该第二磁场强度大于第一磁场强度，并且第二区域(45b)的厚度大于第一区域(45a)的厚度，以便建立第一和第二磁场强度。在这样一种CPP结构磁阻效应设备(35)中，具有大电流值的感测电流可以流过磁阻效应薄膜(44)。进一步，可以确保磁阻效应薄膜(44)的足够高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1208757C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03101543.3
申请日：2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/324
Abstract: 一种电流垂直于平面(CPP)结构的磁阻元件包括旋阀膜。在包含于旋阀膜的非磁性中间层从导电层之间确定一个边界。磁性金属材料和绝缘材料存在于该边界上。绝缘材料减小读出电流路径的截面面积。相应于在自由磁性层中的磁化的旋转，该CPP结构的磁阻元件实现在电阻中较大变化。采用较小的读出电流来获得电压的较大变化。相应地，CPP结构的磁阻元件大大地有助于记录密度的提高以及减小电能消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113378348A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202011581762.7
申请日：2020-12-28
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及优化器、优化方法和记录优化程序的记录介质。一种优化磁性装置的线圈中的交链磁通量的变化量的优化器包括优化处理单元，该优化处理单元被配置成通过使用使和之和最大化的目标函数公式来优化线圈中的交链磁通量的变化量，当假定磁性装置的布置有线圈的表面被划分成Nc个线圈区域时，在第i线圈区域Ni中，可能存在于线圈区域Ni中的顺时针线圈的辅助变量为xi，并且可能存在于线圈区域Ni中的逆时针线圈的辅助变量为yi，存在顺时针线圈的情况是xi＝1，存在逆时针线圈的情况是yi＝1，并且线圈区域Ni中的顺时针线圈的交链磁通量的变化量为线圈区域Ni中的逆时针线圈的交链磁通量的变化量为
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公开(公告)号：CN112434398A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010580033.3
申请日：2020-06-23
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大岛弘敬
IPC: G06F30/20 , G06Q10/04 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供组合优化设备、组合优化方法以及计算机可读记录介质。该组合优化设备包括：存储单元，其存储包括在第一能量函数中的多个状态变量的值，所述第一能量函数被给出为具有表示针对所述多个状态变量的约束条件的项；以及处理单元，其执行对使第一能量函数的值最小化的多个状态变量的值的搜索，其中，由处理单元执行的搜索包括：通过使用所述第一能量函数执行的第一搜索、在第一搜索之后通过使用第二能量函数执行的第二搜索以及在第二搜索之后通过使用第一能量函数执行的第三搜索，所述第二能量函数是通过从第一能量函数中移除表示约束条件的项而获得的。
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公开(公告)号：CN102735919B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210096489.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01R21/06
CPC classification number: G01R21/06 , G01R21/1331
Abstract: 本发明涉及一种交流功率测量装置，其包括：第一电容元件，其一端电容性地耦合到用于将交流电提供给负载的电缆集合中的第一电缆的导线，其另一端电容性地耦合到电缆集合中的第二电缆的导线；第一电压测量部，用于测量第一电压，第一电压是第一电容元件的两端的电压；第一电流测量部，用于测量在第一电缆中流动的第一电流；以及处理部，其通过进行施加到电缆集合的电压的指定电压值和第一电压的有效值之间的比例、第一电压以及第一电流的乘法，计算将由电缆集合提供给负载的功率。
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公开(公告)号：CN100456511C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN03822880.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大岛弘敬
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种CPP结构的磁阻效应设备(35)，其中沿着磁阻薄膜(44)前部边缘横过磁阻薄膜(44)的第一区域(45a)在磁区控制薄膜(45)上形成，具有第一磁场强度的第一偏磁场在第一区域(45a)建立，沿着磁阻薄膜(44)后部边缘横过磁阻薄膜(44)的第二磁场强度的第二区域(45b)形成，具有第二磁场强度的第二偏磁场在第二区域(45b)建立，该第二磁场强度大于第一磁场强度，并且第二区域(45b)的厚度大于第一区域(45a)的厚度，以便建立第一和第二磁场强度。在这样一种CPP结构磁阻效应设备(35)中，具有大电流值的感测电流可以流过磁阻效应薄膜(44)。进一步，可以确保磁阻效应薄膜(44)的足够高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101221773A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810001530.2
申请日：2008-01-04
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供了磁记录介质及其制造方法，其中，该方法能够高精度转印能够用作用于形成阳极化氧化铝纳米孔的源的图案并且实现高生产能力；该大容量磁记录介质能够实现高密度记录。所述方法包括：在形成在模子的表面上的凹凸图案上形成金属层；使用粘合剂将基片结合到金属层的与模子的相反侧的表面；从所述金属层分离所述模子；通过纳米孔形成处理形成多孔层，在所述多孔层中，通过将通过所述模子中的凹凸图案转印到所述金属层已经形成的凹凸图案用作纳米孔源来将多个纳米孔形成为在基本垂直于基片平面的方向上定向；以及将磁材料填入所述纳米孔中。
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