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公开(公告)号：CN1767001A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510060177.1
申请日：2005-03-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/39 , G11B5/3903 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
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公开(公告)号：CN1419232A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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公开(公告)号：CN1975863B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610168303.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN100373457C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN100367351C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁致电阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁致电阻薄膜。该磁致电阻磁头进一步包括位于所述磁致电阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁致电阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1835084A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510083660.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , H01F10/14 , H01F10/30 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。
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公开(公告)号：CN1639773A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02829330.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。软磁性打底层具有100～600nm的厚度。
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公开(公告)号：CN1402223A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02116113.5
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。
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公开(公告)号：CN101222017A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199179.8
申请日：2002-11-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN1975863A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610168303.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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