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公开(公告)号：CN1975863B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610168303.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN100367351C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁致电阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁致电阻薄膜。该磁致电阻磁头进一步包括位于所述磁致电阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁致电阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1975863A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610168303.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1229973A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头,其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层14发出的进入自由磁层12的静磁场为GMR磁头的自由磁层12设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分10和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分20。检测部分10除了包括自由磁层12和被锁定磁层14外,还包括特定布置的中间层13和反铁磁层15。磁场矫正部分20可以和检测部分10具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN101473372A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023085.3
申请日：2007-03-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 近藤玲子
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/398
Abstract: 提供一种磁头，该磁头包括性能提高的层压铁氧体结构的自旋阀磁致电阻元件。磁头具有：衬底，具有空气轴承面；自由层，在衬底上方与空气轴承面垂直地配置，在该垂直方向上划定元件高度，由铁磁层形成，根据外部磁场能够使磁化方向旋转；参考层，与自由层平行地配置，由铁磁层形成；第一中间层，在自由层和参考层之间配置，使两层磁性分离；固定层，与参考层平行地配置在与自由层相反一侧，由铁磁层形成，在元件高度方向上的长度比参考层更长；第二中间层，在参考层和固定层之间配置，与参考层、固定层一起构成层压铁氧体结构；反铁磁层，层叠在固定层上，用于固定固定层的磁化方向；而且由自由层、参考层、固定层构成自旋阀磁致电阻效应元件。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1685398A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823246.4
申请日：2003-03-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3906 , G11B5/3932 , G11B2005/0018
Abstract: 一种将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测的磁致电阻头，包括：第一磁屏蔽；配置在第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在第一电极端子上的磁致电阻膜；以及将第一方向的偏磁场加在配置在磁致电阻膜的两侧的磁致电阻膜上、控制磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜。磁致电阻头还包括：配置在该磁致电阻膜上的第二电极端子；以及配置在第二电极端子上的第二磁屏蔽；磁信号再生时，使检测电流横切第一及第二电极端子且沿着与磁致电阻膜的面垂直的方向流，以便磁致电阻膜的与媒体相对的端部的电流磁场的方向成为第一方向。
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公开(公告)号：CN1324560C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200380101025.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1703739A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101025.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1110795C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头，其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层(14)发出的进入自由磁层(12)的静磁场为GMR磁头的自由磁层(12)设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分(10)和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分(20)。检测部分(10)除了包括自由磁层(12)和被锁定磁层(14)外，还包括特定布置的中间层(13)和反铁磁层(15)。磁场矫正部分(20)可以和检测部分(10)具有相同的结构。
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