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公开(公告)号：CN1975863A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610168303.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1229973A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头,其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层14发出的进入自由磁层12的静磁场为GMR磁头的自由磁层12设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分10和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分20。检测部分10除了包括自由磁层12和被锁定磁层14外,还包括特定布置的中间层13和反铁磁层15。磁场矫正部分20可以和检测部分10具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN1975863B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610168303.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN100367351C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁致电阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁致电阻薄膜。该磁致电阻磁头进一步包括位于所述磁致电阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁致电阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1835084A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510083660.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , H01F10/14 , H01F10/30 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1402223A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02116113.5
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。
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公开(公告)号：CN101047228A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610151886.5
申请日：2006-09-13
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C11/16 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3277
Abstract: 一种具有合成铁钉扎旋阀结构的CPP型磁阻效应器件，该旋阀结构包括缓冲层、被钉扎铁磁层、非磁金属中间层和自由铁磁层，该自由铁磁层由具有特定成分的CoFeAl或CoMnAl制成，该缓冲层包括非晶金属底层和非磁金属顶层。该磁阻效应器件增大输出ΔRA，减小矫顽力Hc和相对于零磁场的偏移量Hin以提高灵敏度，并且增大电阻减半点的磁场Hua以增大钉扎稳定性。本发明还揭示了使用该磁阻效应器件的磁头、磁记录系统和磁随机存取存储器。
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公开(公告)号：CN1976081A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610080850.2
申请日：2006-05-18
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。
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公开(公告)号：CN1767001A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510060177.1
申请日：2005-03-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/39 , G11B5/3903 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
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公开(公告)号：CN1419232A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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