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公开(公告)号：CN1402223A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02116113.5
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。
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公开(公告)号：CN100394628C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN02149946.2
申请日：2002-11-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN101222017A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199179.8
申请日：2002-11-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN1213865A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98107979.2
申请日：1998-05-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/324
Abstract: 在一支承衬底的主表面上形成一缓冲层。该缓冲层主要由从CoFe、钴和铜中选取的一种物质构成的缓冲层。在所述缓冲层之上形成一个多层GMR层,后者具有一种叠层结构,这种结构是通过磁性层和非磁性层的交互层叠而获得的。所述非磁性层由铜构成,所述磁性层和非磁性层的厚度使得可以表现出巨磁阻效应。所述缓冲层的厚度与构成所述多层GMR层的每一层的厚度不相同。
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公开(公告)号：CN1419232A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1308758A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN99808398.4
申请日：1999-06-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 濑山喜彦
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B2005/3996 , Y10S428/90
Abstract: 一种利用巨磁阻(GMR)的磁性传感器,它包含制作在下端子层上并具有接触孔的绝缘层;制作在包括整个接触孔和部分环绕接触孔的绝缘层的区域中的GMR层;以及上端子层。此传感器紧凑而易于制造,并具有大的磁阻变化比率。
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公开(公告)号：CN101222018A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199180.0
申请日：2002-11-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN1236424C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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公开(公告)号：CN1227649C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN02116113.5
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。
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公开(公告)号：CN1173335C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN99808398.4
申请日：1999-06-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 濑山喜彦
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B2005/3996 , Y10S428/90
Abstract: 一种利用巨磁阻(GMR)的磁性传感器，它包含制作在下端子层上并具有接触孔的绝缘层；制作在包括整个接触孔和部分环绕接触孔的绝缘层的区域中的GMR层；以及上端子层。此传感器紧凑而易于制造，并具有大的磁阻变化比率。
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