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公开(公告)号：CN1479387A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03132882.2
申请日：2003-07-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 在自由磁层的表面上形成上电极的较小电极层。与自由磁层表面上的较小电极层相邻形成绝缘材料的磁畴控制膜。根据磁畴控制膜与自由磁层之间的磁交换耦合在单一方向上定向自由磁层的磁化。仅通过较小电极层在自由磁层与上电极之间建立电连接。自由和被钉扎磁层中的感测电流路径可以减小。因此，可以在CPP结构磁阻元件中获得较高的灵敏度。在CPP结构磁阻元件中，有效磁芯宽度也可以减小。
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公开(公告)号：CN1110795C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头，其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层(14)发出的进入自由磁层(12)的静磁场为GMR磁头的自由磁层(12)设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分(10)和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分(20)。检测部分(10)除了包括自由磁层(12)和被锁定磁层(14)外，还包括特定布置的中间层(13)和反铁磁层(15)。磁场矫正部分(20)可以和检测部分(10)具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN1229973A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头,其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层14发出的进入自由磁层12的静磁场为GMR磁头的自由磁层12设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分10和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分20。检测部分10除了包括自由磁层12和被锁定磁层14外,还包括特定布置的中间层13和反铁磁层15。磁场矫正部分20可以和检测部分10具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN1767001A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510060177.1
申请日：2005-03-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/39 , G11B5/3903 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
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公开(公告)号：CN1419232A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921167A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610092533.2
申请日：2006-06-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01F10/16 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/10 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及磁阻效应元件、磁头、磁存储装置及磁内存装置。本发明公开一种CPP型磁阻效应元件，包括：固定磁化层；非磁性层；以及由CoFeAl形成的自由磁化层。CoFeAl的成分落入由在三元成分图中依次连接点A、B、C、D、E、F和A的多条直线所限定的范围内。点A为(55，10，35)，点B为(50，15，35)，点C为(50，20，30)，点D为(55，25，20)，点E为(60，25，15)，以及点F为(70，15，15)，其中每个点的成分坐标由(Co含量，Fe含量，Al含量)表示，每个含量由原子百分比表示。
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公开(公告)号：CN1835084A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510083660.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , H01F10/14 , H01F10/30 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。
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公开(公告)号：CN1402223A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02116113.5
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。
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公开(公告)号：CN100378803C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510060177.1
申请日：2005-03-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/39 , G11B5/3903 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，其具有垂直平面电流结构，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
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公开(公告)号：CN1236424C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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