公开(公告)号：CN1110795C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN98117092.7

申请日：1998-12-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 长坂惠一 ,  清水丰 ,  岸均 ,  田中厚志 ,  近藤玲子

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/3945 ,  G11B2005/3996 ,  Y10S977/934

Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头，其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层(14)发出的进入自由磁层(12)的静磁场为GMR磁头的自由磁层(12)设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分(10)和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分(20)。检测部分(10)除了包括自由磁层(12)和被锁定磁层(14)外，还包括特定布置的中间层(13)和反铁磁层(15)。磁场矫正部分(20)可以和检测部分(10)具有相同的结构。

公开(公告)号：CN1229973A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN98117092.7

申请日：1998-12-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 长坂惠一 ,  清水丰 ,  岸均 ,  田中厚志 ,  近藤玲子

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/3945 ,  G11B2005/3996 ,  Y10S977/934

Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头,其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层14发出的进入自由磁层12的静磁场为GMR磁头的自由磁层12设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分10和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分20。检测部分10除了包括自由磁层12和被锁定磁层14外,还包括特定布置的中间层13和反铁磁层15。磁场矫正部分20可以和检测部分10具有相同的结构。