公开(公告)号：CN1292406C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02829330.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  城后新 ,  涡卷拓也 ,  田中厚志

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/667 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层，且上述软磁性层具有100nm～600nm的厚度。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。

公开(公告)号：CN101252166A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080432.2

申请日：2008-02-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 城后新 ,  清水丰

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种CPP型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由CoFeGe形成，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。还提供包括上述磁阻器件的磁头、磁存储设备及磁存储器。能获得较高的MR比，并提高输出电平。

公开(公告)号：CN101047228A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610151886.5

申请日：2006-09-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 城后新 ,  清水丰

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16

CPC classification number: G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3277

Abstract: 一种具有合成铁钉扎旋阀结构的CPP型磁阻效应器件，该旋阀结构包括缓冲层、被钉扎铁磁层、非磁金属中间层和自由铁磁层，该自由铁磁层由具有特定成分的CoFeAl或CoMnAl制成，该缓冲层包括非晶金属底层和非磁金属顶层。该磁阻效应器件增大输出ΔRA，减小矫顽力Hc和相对于零磁场的偏移量Hin以提高灵敏度，并且增大电阻减半点的磁场Hua以增大钉扎稳定性。本发明还揭示了使用该磁阻效应器件的磁头、磁记录系统和磁随机存取存储器。

公开(公告)号：CN1976081A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610080850.2

申请日：2006-05-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 城后新 ,  大岛弘敬 ,  指宿隆弘 ,  清水丰 ,  涡卷拓也

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G11B5/02

Abstract: 本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。

公开(公告)号：CN1921167A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610092533.2

申请日：2006-06-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 城后新 ,  大岛弘敬 ,  长坂惠一

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G11B5/00 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01F10/16 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及磁阻效应元件、磁头、磁存储装置及磁内存装置。本发明公开一种CPP型磁阻效应元件，包括：固定磁化层；非磁性层；以及由CoFeAl形成的自由磁化层。CoFeAl的成分落入由在三元成分图中依次连接点A、B、C、D、E、F和A的多条直线所限定的范围内。点A为(55，10，35)，点B为(50，15，35)，点C为(50，20，30)，点D为(55，25，20)，点E为(60，25，15)，以及点F为(70，15，15)，其中每个点的成分坐标由(Co含量，Fe含量，Al含量)表示，每个含量由原子百分比表示。

公开(公告)号：CN1835084A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510083660.1

申请日：2005-07-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大岛弘敬 ,  长坂惠一 ,  城后新 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/14 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。

公开(公告)号：CN1639773A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02829330.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  城后新 ,  涡卷拓也 ,  田中厚志

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/667 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。软磁性打底层具有100～600nm的厚度。