公开(公告)号：CN117577413A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311381679.9

申请日：2023-10-23

Applicant: 季华实验室

Inventor： 徐秀兰 ,  杨欣燕 ,  于广华

IPC: H01F10/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35 ,  C22C30/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y25/00 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种AlNiCo磁性薄膜材料及其制备方法和应用。本发明采用引入W层，通过控制W元素在AlNiCo薄膜的扩散，进而对AlNiCo薄膜的矫顽力进行有效地调控，同时剩磁依然保持较高的水平。W层的引入在薄膜中形成Fe2W硬磁的形成、Ni3Al非磁相的钉扎协同作用，使得薄膜的矫顽力由未引入W层时的173Oe，提升为引入W层之后的508Oe，矫顽力提升了近达300％，而剩磁依然保持在高达9900Oe。本发明的AlNiCo磁性薄膜材料，通过引入W层，使得AlNiCo薄膜满足高精度磁编码器码盘材料对高矫顽力和高剩磁的应用需求。

公开(公告)号：CN117153520A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310618198.9

申请日：2023-05-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 天野一 ,  荒健辅 ,  吉留和宏 ,  长谷川晓斗

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/245 ,  H01F10/16 ,  H01F10/14

Abstract: 本发明提供具有磁芯部和线圈部的电感器。磁芯部是纳米颗粒磁性膜和软磁性合金膜交替地层叠多层而得到的多层膜。纳米颗粒磁性膜是具有第一相的微小区域分散在第二相中的结构的纳米颗粒磁性膜。第一相含有选自Fe和Co中的1种以上的元素，第二相含有选自O、N和F中的1种以上的元素。第一相的体积相对于第一相和第二相的合计体积的体积比例为60％以下。软磁性合金膜含有选自Fe和Co中的1种以上的元素。软磁性合金膜中的Fe、Co和Ni的合计含量为70at％以上。

公开(公告)号：CN115110034B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202210685326.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 山东麦格智芯机电科技有限公司

Inventor： 于广华 ,  刘锦涛 ,  徐秀兰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  G01D5/12 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开了一种高性能FeCoCr磁码盘复合薄膜及其制备方法和应用。本发明针对以往磁码盘薄膜材料Si基片/FeCoCr/Ta综合性能不佳问题，提出通过“几何缺陷”的方法改进其综合性能，材料结构为Si基片/Ta2O5/重金属插层/FeCoCr/Ta2O5。通过磁控溅射方法，制备以上薄膜，然后通过真空退火制得所述高性能FeCoCr磁码盘复合薄膜。本发明所得高性能FeCoCr磁码盘复合薄膜的矫顽力和剩磁都较高，完全可以达到磁编码器码盘的实际应用需求。

公开(公告)号：CN115516582A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180031697.7

申请日：2021-04-28

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 栉引了辅 ,  金光谭 ,  镰田知成

IPC: H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F1/047

Abstract: 本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的磁性能的面内磁化膜多层结构。该面内磁化膜多层结构是作为磁阻效应元件(20)的硬偏置层(22)使用的面内磁化膜多层结构(10)，其中，具有两个以上面内磁化膜(12)和非磁性中间层(14)，非磁性中间层(14)配置在面内磁化膜(12)彼此之间，并且，夹着非磁性中间层(14)相邻的面内磁化膜(12)彼此进行了铁磁性耦合，面内磁化膜(12)含有金属Co和金属Pt，相对于面内磁化膜(12)的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，两个以上面内磁化膜(12)的合计厚度为30nm以上。

公开(公告)号：CN109427959B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201811012162.1

申请日：2018-08-31

Applicant: 延世大学校产学协力团

Inventor： 洪钟一

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

Abstract: 本发明涉及自旋轨道转矩磁性器件。本发明一实施例的磁性器件包括：自旋电流图案，配置于基板上，通过面内电流生成垂直于配置平面的自旋电流；以及自由磁性层，以与上述自旋电流图案相接触的方式配置，具有通过上述自旋电流进行磁化反转的垂直磁各向异性。上述自旋电流图案包括：第一非磁性导电层；第二非磁性导电层，以与上述第一非磁性导电层对齐的方式配置；以及磁性层，介于上述第一非磁性导电层与上述第二非磁性导电层之间，与上述第一非磁性导电层对齐，具有垂直磁各向异性。

公开(公告)号：CN108475725B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201680068533.0

申请日：2016-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱健 ,  诺真·杰 ,  李元仁 ,  刘焕龙 ,  童儒颖 ,  王柏刚

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构、一种磁性穿隧接面以及一种形成磁性穿隧接面的方法，其中，可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构，包括：(a)一第一层，其由具有一第一键能的材料所制成，并具有一第一表面，该第一表面具有一“刚沉积的”第一峰间粗糙度；以及(b)一上面的第二层，其为非晶或纳米晶，并由具有大于该第一键能的一第二键能的材料所制成，使得该上面的第二层的沉积导致该第一层的再溅镀，以得到具有一第二峰间粗糙度的一第二表面的一第一层，该第二峰间粗糙度小于该“刚沉积的”的第一峰间粗糙度，该上面的第二层形成于该第二表面上，该上面的第二层具有一第三表面，该第三表面具有该第二峰间粗糙度。

公开(公告)号：CN113628875A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110927619.7

申请日：2021-08-13

Applicant: 电子科技大学 ,  珠海方正科技高密电子有限公司

Inventor： 周国云 ,  高奇 ,  贾维 ,  张伟豪 ,  何为 ,  王守绪 ,  陈苑明 ,  唐耀 ,  孙玉凯 ,  张伟华

IPC: H01F41/34 ,  H01F3/00 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F41/02 ,  H01F41/22

Abstract: 本发明公开了一种基于超薄改性绝缘层沉积磁芯制备电感器的方法。目前，业界通常使用绝缘层作为磁芯层与电感导线间的隔离层，但使用的绝缘层的厚度较厚和与磁芯层间的结合力较差。本发明通过在电感器的铜导线表面附着超薄绝缘隔离层作为催化层，通过化学沉积的方式形成磁性薄膜制备出磁芯电感器。一方面解决了因磁芯层与电感之间因间隔距离太大降低了电感器的性能问题，另一方面磁芯层是通过化学沉积的方式形成在绝缘隔离层解决了磁芯层的结合力不足问题。

公开(公告)号：CN113539607A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110708000.7

申请日：2021-06-24

Applicant: 广东麦格智芯精密仪器有限公司

Inventor： 于广华 ,  刘冕宸 ,  徐秀兰 ,  冯春 ,  滕蛟 ,  李明华

IPC: H01F10/16 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开了一种垂直膜面方向具有硬磁性能且在面内方向具有软磁性能的磁性薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜制备技术领域。本发明所述磁性薄膜是利用磁控溅射仪于室温下在基底材料上沉积而成，包括从下而上依次层叠的基底、AlNiCo永磁合金和Ag。所述制备方法包括：利用磁控溅射仪于室温条件下通过直流溅射金属靶材，在基底材料上依次沉积AlNiCo永磁合金和Ag；再将薄膜材料从磁控溅射仪中取出，放入超高真空退后炉中，在真空度优于5.0×10‑7Torr的条件下进行退火处理，退火温度为750℃‑900℃。利用该制备方法得到的磁性薄膜沿面内方向具有软磁性能且同时沿具垂直膜面方向有硬磁性能，拓宽了AlNiCo薄膜材料的使用性能，不仅可以用作磁码盘材料，还可用作磁传感器材料。

公开(公告)号：CN110444364B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910803515.8

申请日：2019-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周国云 ,  李晓璇 ,  张伟豪 ,  何为 ,  王守绪 ,  陈苑明 ,  洪延 ,  王翀 ,  杨文君

IPC: H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F27/24 ,  H01F41/14 ,  H01F41/26 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明涉及一种叠层磁性薄膜，包括2n层磁芯结构，n为正整数，且n≥1，所述2n层磁芯结构包括交替设置的Ni‑Co磁芯层和Ni‑Fe‑W磁芯层。本发明通过依次连续设置的软磁Ni‑Fe‑W合金和Ni‑Co合金，来提高磁芯薄膜磁性能，从而获得高磁性且损耗不会过大的叠层磁性薄膜，以便有效提升电感元件的电感值，保证较高的品质因子和磁芯薄膜稳定性。该制备工艺简单、可靠性强、生产成本低，有利于产业化发展。此外，本发明还涉及一种叠层磁性薄膜的制备方法。

公开(公告)号：CN110178236A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880007206.3

申请日：2018-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 安藤康夫 ,  大兼干彦 ,  藤原耕辅 ,  关根孝二郎 ,  城野纯一 ,  土田匡章

IPC: H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  H01F10/16 ,  H01F41/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51-53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。