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公开(公告)号：CN117476550B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311805331.8
申请日：2023-12-26
申请人： 季华实验室
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 本申请涉及系统级封装技术领域，具体提供了一种系统级扇出型封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：制作封装单体和第一封装体，封装单体包括一个第一芯片组，第一芯片组包括分别位于封装单体上下侧的第一芯片和第二芯片，第一封装体包括两个第二芯片组；在两个第四芯片之间形成第一空腔；将封装单体侧部垂直贴装到第一空腔内，并利用第一焊球使第一芯片另一焊盘和第二芯片另一焊盘分别与两个第二芯片组电性连接；在第三芯片上形成第二焊球；该方法无需在封装单体和第一封装体之间设置复杂的布线，从而有效地解决由于需要设置复杂的布线来实现多层芯片之间的互连而导致系统级扇出型封装结构体积大的问题。
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公开(公告)号：CN117080087B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311326315.0
申请日：2023-10-13
申请人： 季华实验室
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/31
摘要： 本申请涉及扇出型板级封装技术领域，具体提供了一种扇出型板级封装方法及扇出型板级封装结构，该封装方法包括以下步骤：在载板上设置临时键合胶和功能层；对功能层进行曝光和显影，以形成至少一个凸柱组和去除凸柱组以外的所有功能层；将芯片的有源面朝下贴附在芯片放置区域内的临时键合胶上；对凸柱组和芯片进行塑封；对塑封体远离载板的一侧进行研磨减薄，以露出凸柱组；去除凸柱组，以在塑封体上形成通孔组；向通孔组内填充导电材料，以形成导电导热柱组；去除载板和临时键合胶；在塑封体上形成电连接结构；该封装方法能够有效地解决由于需要通过物理开孔的方式在塑封体上逐一形成通孔而导致开孔效率低和开孔步骤繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN117476550A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311805331.8
申请日：2023-12-26
申请人： 季华实验室
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 本申请涉及系统级封装技术领域，具体提供了一种系统级扇出型封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：制作封装单体和第一封装体，封装单体包括一个第一芯片组，第一芯片组包括分别位于封装单体上下侧的第一芯片和第二芯片，第一封装体包括两个第二芯片组；在两个第四芯片之间形成第一空腔；将封装单体侧部垂直贴装到第一空腔内，并利用第一焊球使第一芯片另一焊盘和第二芯片另一焊盘分别与两个第二芯片组电性连接；在第三芯片上形成第二焊球；该方法无需在封装单体和第一封装体之间设置复杂的布线，从而有效地解决由于需要设置复杂的布线来实现多层芯片之间的互连而导致系统级扇出型封装结构体积大的问题。
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公开(公告)号：CN117418197A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311272007.4
申请日：2023-09-27
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及材料领域，具体涉及一种FeCoCr薄膜及其制备方法和应用、所述FeCoCr薄膜包括多层结构，所述多层结构包括基底层和FeCoCr层，以及设在所述基底层和所述FeCoCr层之间的Pt层，引入Pt层后，由于Pt层的加入与FeCoCr层发生扩散反应，从而在薄膜中产生了L10‑FePt相，形成了硬磁新相，使得FeCoCr薄膜的矫顽力得到大幅提升，同时，Pt元素有效地促进了FeCoCr薄膜内部α相调幅分解为强磁相与富Cr的非磁相，而富Cr的非磁相在薄膜内部起到钉扎磁畴的作用，又进一步地大幅提高材料的矫顽力，通过两个机制协同作用，使得FeCoCr薄膜的矫顽力得到大幅度的提升，因此，后续使用FeCoCr薄膜制备的码盘材料材料具有更高的性能，同时码盘信号写入后具有更高的稳定性和抗外界干扰能力。
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公开(公告)号：CN117038243A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311129090.X
申请日：2023-09-01
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明公开了一种铁铬钴永磁合金及其制备方法，属于合金材料技术领域，以质量百分比计，所述铁铬钴永磁合金包括：54.0％‑59.0％的Fe、25.0％‑27.0％的Cr、14.0％‑16.0％的Co、0.8％‑1.0％的Si、1.0％‑2.0％的V和0.02％‑0.03％的N。本发明通过在铁铬钴合金中形成VN颗粒，实现了使合金材料兼具磁性能和加工性能的技术效果。
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公开(公告)号：CN116994852A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311092377.X
申请日：2023-08-28
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及磁性材料和高密度信息存储技术领域。本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底、缓冲层、铁磁层、氧化物层以及保护层，其中，铁磁层材料为CoZrTa，铁磁层中Co、Zr、Ta原子摩尔比为90:5:5；本发明以CoZrTa磁性层代替常用的Co、CoFe、CoFeB等，从而构建具有Pt/CoZrTa/MgO/Pt的多层膜结构，本发明的磁性多层膜，只需要利用适当原子比例的CoZrTa层作为多层膜的铁磁层，可使多层膜具有垂直磁各向异性的磁性层厚度窗口提高到2nm以上，同时又保持较低的成本，并在制备的过程中无需增加额外的插层，可以明显提高薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN115394761A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210916550.2
申请日：2022-08-01
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
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公开(公告)号：CN115101284A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202211026675.4
申请日：2022-08-25
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底以及在基底依次层叠设置的N掺杂的Ta层、第一Ta层、CoFeB层、MgO层和第二Ta层；本发明的磁性多层膜的制备方法，通过溅射Ta的同时通入氮气引入氮离子，通过反应溅射方式在基底上生成N掺杂的Ta层，从而制造出较高的原子晶格空位浓度，产生结构缺陷，使得N掺杂的Ta层中的N固定底层的Ta一定程度起到扩散阻挡层的作用，大大减少Ta的扩散破坏界面处的Fe‑O键合，因而使得磁性多层膜呈现出垂直磁各向异性(PMA)；本发明的磁性多层膜的制备方法，可以低成本实现对薄膜垂直磁各向异性的调控，且具有制备简单高效、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114002252B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111652469.X
申请日：2021-12-31
申请人： 季华实验室
IPC分类号： G01N23/2273
摘要： 本发明公开了多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，涉及材料分析领域，包括以下步骤：从磁性金属元素中选取目标元素；获取多层薄膜材料具备垂直磁各向异性时的氧化度预测范围；获取COB；获取CB；根据公式I计算多层薄膜材料的氧化度ε的实测值；判定多层薄膜材料的实测值是否在氧化度预测范围内；若多层薄膜材料的实测值在氧化度预测范围内，则多层薄膜材料具备垂直磁各向异性，反之，则不具备。本发明提供的多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，通过半定量数据对垂直磁各向异性进行表征，测试方法简单、直接且快捷；后续可以通过半定量的氧化度ε的实测值作为垂直磁各向异性的定量指标，有助于进一步研究。
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公开(公告)号：CN114086136A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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