-
公开(公告)号：CN118888255B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411394036.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种CoFeB基磁性多层膜及其制备方法。本发明通过引入TiC层，TiC层可以有效地抑制Ta的扩散，使得Ta/CoFeB界面更加的平整，有利于获得垂直磁各向异性；TiC层可以有效在多层膜中引入C原子，引入C原子可以有效调控Fe和O之间的轨道杂化作用，进而可以有效通过C、O双离子的双层作用协同驱动多层膜的磁各向异性由面内向面外转化，即使得磁性多层膜获得垂直磁各向异性；本发明通过C、O双离子调控作用，增加材料调控的自由度，提高性能调控的幅度，从多角度出发，大大提高对薄膜垂直磁各向异性的调控，并且进一步提升了CoFeB基磁性多层膜的热稳定性。
-
公开(公告)号：CN113817993B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111090388.5
申请日：2018-08-16
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/16 , B22F3/14 , B22F3/105 , C22C1/05 , C22C32/00 , G11B5/73 , G11B5/84 , G11B5/851 , H01F41/18
Abstract: 本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体，其中该溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。
-
公开(公告)号：CN117403196A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311722834.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 安泰爱科科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 一种磁体表面溅射成膜装置，属于永磁体溅射技术领域。包括安装在机架上的输送装置、往复传动机构以及安装架，安装架可滑动的安装在机架上，安装架间隔设置在输送装置的上侧，往复传动机构设置在输送装置与安装架之间，使安装架沿输送装置的输送方向往复运动，安装架并排设置有若干个，各安装架与输送装置之间均设置有往复传动机构。本磁体表面溅射成膜装置的往复传动机构带动安装架往复运动，进而使靶材在输送装置的输送方向上往复运动，以使靶材的边缘得到充分的使用，进而使靶材的利用率大大提高，往复传动机构设置在输送装置与安装架之间，进而使靶材往复运动的速度随磁体的输送速度同步调节，保证了对磁体的溅射效果好。
-
公开(公告)号：CN117079923A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311045599.6
申请日：2023-08-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域。本发明提供了一种垂直磁性多层膜及其制备方法、磁随机存储器。本发明的垂直磁性多层膜，铁磁金属层的材料为FeCx，即在制备Fe薄膜的过程中，插入适当碳原子，就能够同时获得高垂直磁各向异性的磁性薄膜，并且提高其热稳定性；本发明的垂直磁性多层膜的制备方法，在制备Fe薄膜的过程中，插入适当碳原子，就能够同时获得高垂直磁各向异性的磁性薄膜，并且提高其热稳定性。因此具有制备简单、控制方便的特点；而且，此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来磁存储技术中。
-
公开(公告)号：CN113228208B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201980071989.6
申请日：2019-10-30
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供具有2.00kOe以上的矫顽力Hc且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的CoPt‑氧化物系的面内磁化膜。本发明是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜(10)，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于面内磁化膜(10)的金属成分的合计，含有55原子％以上且小于95原子％的金属Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金属Pt，相对于面内磁化膜(10)的整体，含有10体积％以上且42体积％以下的所述氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115896719A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211271596.X
申请日：2022-10-18
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜材料领域，其制备方法为：分别采用FeGaB靶材和Al2O3绝缘层作为原料，使用磁控溅射台进行多层薄膜制备；制作完成后，对多层薄膜在100‑200℃的温度下进行退火；采用本发明的制备方法，制得的多层磁致伸缩薄膜的矫顽力和线宽都得到明显改善，从而提升了材料的软磁性能。
-
公开(公告)号：CN115717234A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211401405.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供了一种高温Si1‑xGexFey稀磁半导体薄膜、制备方法及其应用，属于磁性半导体材料领域。本发明的制备方法包括：S1：对本征Ge衬底进行清洗和去除表面氧化物；S2：将处理过的Ge衬底、高纯硅靶、高纯锗靶和高纯铁靶放入背景压强为10‑5Pa的射频多靶共溅磁控溅射生长室中，使薄膜在0.35Pa的高纯氩气气氛中生长；在生长过程中保持衬底温度在250℃并持续旋转；S3：在薄膜生长过程中首先在Ge衬底上生长50nm厚的Ge缓冲层，然后在Ge缓冲层上生长150nm厚的Si1‑xGexFey薄膜；生长结束后自然冷却到室温，得到沉积的Si1‑xGexFey薄膜；S4：用快速退火炉在混合气体气氛下对沉积的Si1‑xGexFey薄膜进行退火处理。本发明制备的Si1‑xGexFey薄膜表面光滑、厚度均匀、各元素分布均匀、具有良好的结晶性和高温铁磁性。
-
公开(公告)号：CN115537744A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211153268.X
申请日：2022-09-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种单质靶高通量制备SmCo合金永磁薄膜的方法，通过线切割的方法将圆形单质金属靶(Sm、Co、Fe、Cu等)切割为60°或30°的扇形，通过使用不同的拼接方式，可调整金属比例以及合金成分，使用磁控溅射系统在衬底上镀出成分呈连续梯度变化的合金薄膜，且通过不同过渡金属的切割拼接能实现多组分元素的掺杂，通过高通量表征筛选可快速获得特定成分的SmCo合金永磁薄膜。此方法基于高通量实验，可一次性制备与表征多组不同成分的薄膜样品，实现SmCo合金永磁薄膜的高效率、低成本的材料制备与材料设计。
-
公开(公告)号：CN115101284B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211026675.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底以及在基底依次层叠设置的N掺杂的Ta层、第一Ta层、CoFeB层、MgO层和第二Ta层；本发明的磁性多层膜的制备方法，通过溅射Ta的同时通入氮气引入氮离子，通过反应溅射方式在基底上生成N掺杂的Ta层，从而制造出较高的原子晶格空位浓度，产生结构缺陷，使得N掺杂的Ta层中的N固定底层的Ta一定程度起到扩散阻挡层的作用，大大减少Ta的扩散破坏界面处的Fe‑O键合，因而使得磁性多层膜呈现出垂直磁各向异性(PMA)；本发明的磁性多层膜的制备方法，可以低成本实现对薄膜垂直磁各向异性的调控，且具有制备简单高效、成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN109314181B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
436
records
(took 0.016 seconds)
