公开(公告)号：CN110178236B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880007206.3

申请日：2018-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  柯尼卡美能达株式会社 ,  旋转感应制造厂株式会社

Inventor： 安藤康夫 ,  大兼干彦 ,  藤原耕辅 ,  关根孝二郎 ,  城野纯一 ,  土田匡章

IPC: H10N50/01 ,  G01R33/09 ,  H01F10/16 ,  H01F41/22 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51‑53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。

公开(公告)号：CN109314181B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201780037564.4

申请日：2017-06-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  柯尼卡美能达株式会社 ,  旋转感应制造厂株式会社

Inventor： 安藤康夫 ,  大兼干彦 ,  藤原耕辅 ,  城野纯一 ,  土田匡章

IPC: H01L43/08 ,  H01F41/18 ,  H01F41/22 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/12 ,  H01F10/13

Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。