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公开(公告)号：CN117941017A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062303.9
申请日：2022-09-12
Applicant: 美国圣戈班性能塑料公司
Abstract: 本公开涉及一种磁性多层复合材料，其可以包括核心基底层、覆盖在核心基底层的第一表面上的外磁性层、以及位于核心基底层的第二表面下面的内磁性层。复合材料可以具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
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公开(公告)号：CN112216469B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010656393.7
申请日：2020-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种磁饱和进一步得到抑制且具有更高的直流叠加特性的磁性层叠体和包含该磁性层叠体的磁性结构体、包含磁性层叠体或磁性结构体的电子部件。所述磁性层叠体是交替层叠金属磁性体层和金属非磁性体层而成的磁性层叠体，在金属磁性体层彼此之间配置有金属非磁性体层，金属磁性体层含有非晶材料，金属非磁性体层含有选自Cr、Ru、Rh、Ir、Re和Cu中的至少1种元素，且平均厚度为0.4nm～1.5nm。
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公开(公告)号：CN109494042B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201811529125.8
申请日：2013-09-26
Abstract: 本发明为磁性片及使用磁性片的显示器，磁性片具备经粘接层将树脂薄膜层叠在磁性箔体的两面的构造；该磁性片的特征在于，具有沿平面方向排列2个以上的宽度为3～90mm的磁性箔体的构造，沿平面方向相邻的磁性箔体彼此间的距离的最长距离超过0mm并且为1mm以下，最短距离为0mm以上1mm以下。另外，最好磁性片的短边为100mm以上。根据上述构成，可提供用于效率良好地抑制低频噪声的磁性片及使用该磁性片的显示器。
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公开(公告)号：CN102364618B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110354377.3
申请日：2011-11-10
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 一种具有垂直磁各向异性的多层膜材料，所述多层膜材料由下至上为：基片、核心缓冲层、非晶铁磁层和氧化物势垒层。本发明中的这种“CoFeB/MgO”界面垂直各向异性的多层膜材料，该材料通过将“Ta/CoFeB/MgO”结构中的Ta用Mo或Hf替换，使得体系的垂直磁各向异性能分别增大了大约22％和37％。而且对于“Mo/CoFeB/MgO”体系，热稳定性还大大增强，经过400℃两小时退火后其垂直各向异性能仍然稳定不变，从而应用价值得以提升，使该材料可应用到垂直磁隧道中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101641455B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880009320.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种软磁性薄带，其特别是在500A/m以下的相对低的磁场区域中，具有高矩形度的磁通量密度-磁化曲线。公开了厚度为100μm以下的软磁性薄带，其包含其中按体积比率计，30％以上的晶粒直径为60nm以下(不包括0)的晶粒分散在非晶形相中的母相组织，并且包含非晶形层，所述的非晶形层设置在母相组织的表面侧。优选地，软磁性薄带由组成式Fe100-x-yCuxXy(其中X是选自B，Si，S，C，P，Al，Ge，Ga和Be中的至少一种元素)表示，其中原子百分比(％)满足关系0＜x≤5和10≤y≤24。
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公开(公告)号：CN101627140A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007184.7
申请日：2008-03-05
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C22C33/003 , C21D6/00 , C22C1/00 , C22C45/02 , H01F1/15308 , H01F1/15316 , H01F1/15325 , H01F1/15333
Abstract: 本发明提供在FeCo系纳米结晶软磁性材料中显示1.85T以上的高饱和磁通密度，喷嘴寿命长，容易制造薄带的软磁性合金、及用于制作其的非晶形合金薄带、及使用了所述软磁性合金的磁性部件。所述软磁性合金由组成式：Fe 100-x-y-a Co a Cu x B y (其中，按原子％为1＜x≤3、10≤y≤20、10＜a＜25)表示，组织的至少一部分为结晶粒径60nm以下(不包括0)的结晶相，且饱和磁通密度为1.85T以上，顽磁力为200A/m以下。
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公开(公告)号：CN1812012A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610023899.4
申请日：2006-02-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件，包括：衬底、引脚、线圈、磁芯、聚酰亚胺绝缘材料，闭合的矩形磁芯上对称绕制两组相连的三维立体螺线管线圈，线圈以衬底为基础，由底层线圈、顶层线圈通过连接导体连接形成，线圈的两端连接引脚，线圈的底层线圈、顶层线圈、连接导体均通过聚酰亚胺绝缘材料与磁芯隔开，所述的磁芯材料为非晶FeCuNbCrSiB薄膜。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN1812011A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610023897.5
申请日：2006-02-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNb CrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件，包括：衬底、引脚、线圈、磁芯材料、氧化铝绝缘材料，闭合的矩形磁芯材料上对称绕制两组相连的三维立体螺线管线圈，线圈以衬底为基础，由底层线圈、顶层线圈通过连接导体连接形成，线圈的两端连接引脚，线圈的底层线圈、顶层线圈、连接导体均通过氧化铝绝缘材料与磁芯材料隔开。其中，所述的磁芯材料为非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
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