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公开(公告)号：CN1162961C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN01111663.3
申请日：2001-03-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种声表面波设备的制造方法，包含步骤：形成第一导电薄膜；沉淀第一抗蚀膜；和使第一抗蚀膜形成图案；去掉设置导电薄膜；在压电基片的整个表面上沉淀第二抗蚀膜，和加热第二抗蚀膜，使第二声表面波装置的电极位置上的第二抗蚀膜形成图案；形成第二导电薄膜；通过剥离法去掉第二抗蚀膜，以形成第二声表面波装置的电极，并使第一声表面波装置的电极暴露；和使第一声表面波装置中的短路的布线电极分开。
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公开(公告)号：CN1278123A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00108998.6
申请日：2000-05-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/10 , H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/14538 , H03H9/25 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49016 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供了一个声表面波装置,其特征在于包含压电基片,具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第一声表面波元件,具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第二声表面波元件。第二声表面波元件的至少一个叉指式换能器的厚度不同于第一声表面波元件的叉指式换能器的厚度,并且第二声表面波元件的频率特性不同于第一声表面波元件。将绝缘薄膜提供给第一和第二声表面波元件。在第一声表面波元件上的区域的绝缘薄膜的厚度不同于第二声表面波元件上的区域的厚度。
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公开(公告)号：CN1173467C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN00108998.6
申请日：2000-05-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/10 , H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/14538 , H03H9/25 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49016 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供了一种声表面波装置，其特征在于包含压电基片，具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第一声表面波元件，具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第二声表面波元件。第二声表面波元件的至少一个叉指式换能器的厚度不同于第一声表面波元件的叉指式换能器的厚度，并且第二声表面波元件的频率特性不同于第一声表面波元件。将绝缘薄膜提供给第一和第二声表面波元件。在第一声表面波元件上的区域的绝缘薄膜的厚度不同于第二声表面波元件上的区域的厚度。
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公开(公告)号：CN1405978A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02143232.5
申请日：2002-09-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H3/08
CPC classification number: H03H3/08 , G03F7/091 , Y10T29/42 , Y10T29/49401
Abstract: 本发明揭示一种声表面波元件的电极图案形成方法，在压电基板1的表面形成抗蚀膜2，在压电基板1的表面上方设置光掩膜并用紫外光对抗蚀膜2进行曝光处理，由此在压电基板1表面上形成抗蚀膜图案2a，再在该压电基板1的表面上形成导体膜7，用剥离法除去抗蚀膜图案2a，形成声表面波元件的电极图案，采用紫外光进行曝光处理，紫外光的波长是用相对于压电基板1的规定厚度而言，由压电基板1中吸收使紫外光不到达压电基板1的内表面的波长。本方法能防止抗蚀膜图案的形状发生异常并完全防止其发生。
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公开(公告)号：CN112216469A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010656393.7
申请日：2020-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种磁饱和进一步得到抑制且具有更高的直流叠加特性的磁性层叠体和包含该磁性层叠体的磁性结构体、包含磁性层叠体或磁性结构体的电子部件。所述磁性层叠体是交替层叠金属磁性体层和金属非磁性体层而成的磁性层叠体，在金属磁性体层彼此之间配置有金属非磁性体层，金属磁性体层含有非晶材料，金属非磁性体层含有选自Cr、Ru、Rh、Ir、Re和Cu中的至少1种元素，且平均厚度为0.4nm～1.5nm。
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公开(公告)号：CN1400734A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127132.1
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/059 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H03H9/1071 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法。声表面波装置具备声表面波元件1、封装容器20、及封装电极21。声表面波元件10包括压电基板1、接地电极4、中间电极7、上部电极8和补片电极9。中间电极7由Cr浓度15～30重量％的NiCr组成。接地电极4等电极衬垫、及上部电极8由Al组成。对补片电极9在施加超声波或热的同时，将补片电极9按压在封装电极21上面接合。本发明提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离，并特性良好的声表面波装置。
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公开(公告)号：CN1339873A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN01133940.3
申请日：2001-08-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 坂口健二
IPC: H03H9/00
CPC classification number: H03H3/08 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H01L41/338
Abstract: 一种有效而便宜地制造压电元件的方法,进行切片而不预先形成任何保护膜,制得的压电元件包含高度耐腐蚀电极且具有极佳的稳定电特性。依据该方法,晶片形成置于压电材料制成的压电衬底上的包括Al合金的电极。使晶片暴露于采用含卤素气体的等离子体,同时以切割水冷却晶片,进行晶片切割。切割水最好包括与Al反应以在包括Al合金的电极表面上形成保护膜的化合物。
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公开(公告)号：CN112216469B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010656393.7
申请日：2020-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种磁饱和进一步得到抑制且具有更高的直流叠加特性的磁性层叠体和包含该磁性层叠体的磁性结构体、包含磁性层叠体或磁性结构体的电子部件。所述磁性层叠体是交替层叠金属磁性体层和金属非磁性体层而成的磁性层叠体，在金属磁性体层彼此之间配置有金属非磁性体层，金属磁性体层含有非晶材料，金属非磁性体层含有选自Cr、Ru、Rh、Ir、Re和Cu中的至少1种元素，且平均厚度为0.4nm～1.5nm。
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公开(公告)号：CN1211922C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN02127132.1
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/059 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H03H9/1071 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法。声表面波装置具备声表面波元件(1)、封装容器(20)、及封装电极(21)。声表面波元件(10)包括压电基板(1)、接地电极(4)、中间电极(7)、上部电极(8)和补片电极(9)。中间电极(7)由Cr浓度15～30重量%的NiCr组成。接地电极(4)等电极衬垫、及上部电极(8)由Al组成。对补片电极(9)在施加超声波或热的同时，将补片电极(9)按压在封装电极(21)上面接合。本发明提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离，并特性良好的声表面波装置。
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