Invention Grant
CN1162961C 声表面波设备的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 声表面波设备的制造方法
- Patent Title (English): Manufacturing method of surface acoustic wave equipment
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Application No.: CN01111663.3Application Date: 2001-03-15
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Publication No.: CN1162961CPublication Date: 2004-08-18
- Inventor: 筏克弘 , 坂口健二 , 高宫干
- Applicant: 株式会社村田制作所
- Applicant Address: 日本京都府
- Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee Address: 日本京都府
- Agency: 上海专利商标事务所
- Agent 沈昭坤
- Priority: 072300/2000 2000.03.15 JP
- Main IPC: H03H3/08
- IPC: H03H3/08 ; H03H9/145
Abstract:
一种声表面波设备的制造方法，包含步骤：形成第一导电薄膜；沉淀第一抗蚀膜；和使第一抗蚀膜形成图案；去掉设置导电薄膜；在压电基片的整个表面上沉淀第二抗蚀膜，和加热第二抗蚀膜，使第二声表面波装置的电极位置上的第二抗蚀膜形成图案；形成第二导电薄膜；通过剥离法去掉第二抗蚀膜，以形成第二声表面波装置的电极，并使第一声表面波装置的电极暴露；和使第一声表面波装置中的短路的布线电极分开。
Public/Granted literature
- CN1316824A 声表面波设备的制造方法 Public/Granted day:2001-10-10
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