Invention Publication
- Patent Title: 声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法
- Patent Title (English): Surface acoustic wave element and its making process and surface acoustic wave device with the element and its making process
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Application No.: CN02127132.1Application Date: 2002-07-26
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Publication No.: CN1400734APublication Date: 2003-03-05
- Inventor: 坂口健二 , 渡边雅信 , 高取光司
- Applicant: 株式会社村田制作所
- Applicant Address: 日本京都府
- Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee Address: 日本京都府
- Agency: 上海专利商标事务所
- Agent 孙敬国
- Priority: 2001-225619 2001.07.26 JP; 2002-147816 2002.05.22 JP
- Main IPC: H03H9/145
- IPC: H03H9/145 ; H03H3/08 ; H01L21/60

Abstract:
本发明揭示一种声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法。声表面波装置具备声表面波元件1、封装容器20、及封装电极21。声表面波元件10包括压电基板1、接地电极4、中间电极7、上部电极8和补片电极9。中间电极7由Cr浓度15~30重量%的NiCr组成。接地电极4等电极衬垫、及上部电极8由Al组成。对补片电极9在施加超声波或热的同时,将补片电极9按压在封装电极21上面接合。本发明提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离,并特性良好的声表面波装置。
Public/Granted literature
- CN1211922C 声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法 Public/Granted day:2005-07-20
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IPC分类: