公开(公告)号：CN106688180B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580048213.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 波夛野真 ,  菊池贤一 ,  佐佐木启之 ,  津田稔正

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H01L41/0471 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/297 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02992 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/14538 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明涉及一种压电元件及其制造方法。本发明尤其涉及获得以简单的构成便能够将安装端子形成于所需位置的低成本的压电元件。本发明的压电元件包括：引出配线(3)，连接于形成在压电基板(1)的主表面的梳齿电极(2)且沿压电基板(1)的外缘延伸设置；外围壁层(6)，环绕包含引出配线的压电基板的外周而设置且形成作为梳齿电极的动作空间的中空部；以及顶板(7)，桥接于外围壁层而将中空部密封。

公开(公告)号：CN109075764B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201780025581.6

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川崎健太郎

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/145 ,  H03H3/08 ,  H03H9/14538 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6436 ,  H03H9/6483 ,  H03H9/6489

Abstract: 本发明提供一种能够提高生产率且能够减小插入损耗的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；第一IDT电极(4A)～第三IDT电极(4C)，设置在压电基板(2)上；以及电介质膜(5)，设置在压电基板(2)上，使得覆盖第一IDT电极(4A)～第三IDT电极(4C)，且覆盖第一IDT电极(4A)的第一区域(A)的厚度与覆盖第二IDT电极(4B)以及第三IDT电极(4C)的第二区域(B)、第三区域(C)的厚度不同。构成包含第一IDT电极(4A)～第三IDT电极(4C)以及电介质膜(5)的第一弹性波滤波器(3A)～第三弹性波滤波器(3C)(第一弹性波元件～第三弹性波元件)。将如下的厚度设为密度换算厚度，该厚度为将分别构成第一IDT电极(4A)～第三IDT电极(4C)的材料的密度全部设为相同的密度而进行换算的厚度，此时，第一IDT电极(4A)、第二IDT电极(4B)的密度换算厚度相等，第三IDT电极(4C)的密度换算厚度与第一IDT电极(4A)、第二IDT电极(4B)的密度换算厚度不同。

公开(公告)号：CN109639252A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910027071.3

申请日：2019-01-11

Applicant: 常州微泰格电子科技有限公司

Inventor： 杜迅 ,  施小赟

IPC: H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08

Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器及其制备方法，本声表面波谐振器包括：换能器，以及位于换能器两侧的反射栅；将反射栅内与换能器两侧相邻的指条的宽度设为W1，换能器与反射栅内的其余指条的宽度相等设为W2，其中W1＜W2。本发明的声表面波谐振器的制备方法可以制备出高品质因数的声表面波谐振器，提高了声表面波谐振器的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN109150128A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810659668.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 上条敦

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/14541 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  C30B23/025 ,  C30B29/02 ,  C30B29/30 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/29 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6483 ,  H03H9/02929

Abstract: 本发明提供一种可提高声表面波元件的IDT的耐电力性的电极结构及其制造方法。声表面波元件(10)具备LiTaO3的压电单晶基板(11)以及IDT(13)，所述IDT(13)设置于所述基板上，包括钛膜(13a)、及形成于所述钛膜上的铝膜或以铝为主成分的膜(13b)。膜(13b)为双晶或单晶的膜。而且，膜(13b)的(111)面相对于压电单晶基板的表面呈角度(θ)而非平行。而且，膜(13b)的[‑1,1,0]方向与压电单晶基板的晶轴的X方向平行。

公开(公告)号：CN108768335A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810516232.0

申请日：2018-05-25

Applicant: 张琴

Inventor： 张琴

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/00 ,  H03H9/02535 ,  H03H2009/0019

Abstract: 本发明公开了一种气密性声表面波元件封装结构及制作方法，所述封装结构包括上玻璃盖板阵列、下玻璃基板阵列和多颗声表面波芯片，所述多颗声表面波芯片贴装到下玻璃基板阵列上，所述上玻璃盖板阵列通过粘合剂与下玻璃基板阵列对准压合，形成多个空腔，上玻璃盖板阵列的多块上玻璃盖板、下玻璃基板阵列的多块下玻璃基板、多颗声表面波芯片和多个空腔均为一一对应，所述声表面波芯片位于对应的空腔内。本发明简化了传统声表面波元件的封装，大大增加了工艺的吞吐量，从而大大提高了生产效率。

公开(公告)号：CN108511423A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201711305624.4

申请日：2017-12-11

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 谢盛祺 ,  林弘毅 ,  孔政渊 ,  李宝男 ,  陈建桦

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6672 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/0523 ,  H03H9/0557 ,  H03H9/1014 ,  H03H9/1071 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装及其制造方法。在一些实施例中，半导体封装包括衬底，至少一个芯片，密封环和电感器。所述至少一个芯片被安装在所述衬底上并且包括利用声波操作的多个组件结构。组件结构被布置在面向衬底的至少一个芯片的一侧上。密封环设置在至少一个芯片和衬底之间并围绕组件结构。电感器设置在衬底中。

公开(公告)号：CN108155887A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711104059.5

申请日：2017-11-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 罗圣勋 ,  郑载贤 ,  朴昇旭

IPC: H03H9/54

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/332 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02614 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开提供一种声波滤波器装置及制造该声波滤波器装置的方法，所述声波滤波器装置包括：基板；滤波器，设置在所述基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围绕所述滤波器；及盖构件，设置在所述壁构件的上方，并且与所述壁构件形成内部空间。所述盖构件具有弯曲的形状并且包括包含第一材料的第一盖构件和包含第二材料的第二盖构件。

公开(公告)号：CN107947750A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711172385.X

申请日：2017-11-22

Applicant: 周燕红

Inventor： 周燕红

IPC: H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/171 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明实施例公开了一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器，其方法具体包括：在第一衬底上生长材料层；在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽；将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔；将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。本发明实施例通过将第一衬底和其上生长的材料层倒装固定于第二衬底上，在材料层覆盖在第二衬底上形成空腔，这样可以使得第一电极和第二电极之间将声波可以进行全反射，避免能量的泄露，同时降低了带有空腔的压电谐振器的制作难度，改善了压电膜的品质；降低了插入损耗，提高Q值和机电耦合系数，从而大幅度的提高了压电谐振器的性能。

公开(公告)号：CN105580096B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201480053484.4

申请日：2014-09-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 后藤诚治 ,  平尾尚大

IPC: H01G4/30 ,  H01G13/00 ,  H01G4/12 ,  H05K13/00

CPC classification number: H05K13/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H05K13/0015 ,  H05K13/0092

Abstract: 本发明提供一种通过将层叠芯片插入形成在托盘上的空腔，从而能方便地进行定位，并且能以较高尺寸精度来形成外部电极的电子元器件的制造方法及电子元器件的制造装置。本发明所涉及的电子元器件的制造方法将由具有多个陶瓷层和多个内部电极层的层叠体构成的多个层叠芯片(20)分别插入形成在托盘(10)上的多个空腔(11)，将多个层叠芯片(20)分别靠近形成空腔(11)的某一个内壁面，从而使多个层叠芯片(20)定位。在定位后的多个层叠芯片(20)的端部并且将托盘(10)的上表面包括在内地涂布导电性墨水(31)，并使涂布后的导电性墨水(31)干燥从而在多个层叠芯片(20)上形成外部电极。

公开(公告)号：CN107276558A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201611202263.6

申请日：2016-12-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴昇旭 ,  郑泰成 ,  朴鲁逸

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/1014 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/145 ,  H03H9/02614

Abstract: 提供一种声波装置和制造该声波装置的方法，所述声波装置包括：基板；声波产生部，设置在基板的表面上；接地焊盘，设置在基板的表面上；支撑部，在基板的表面上与声波产生部分开；屏蔽构件，设置在支撑部上，与声波产生部分开；接地端子，设置在接地焊盘上，其中，接地焊盘和屏蔽构件通过接地端子彼此连接。