公开(公告)号：CN109150128A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810659668.5

申请日：2018-06-25

申请人： 日本电波工业株式会社

发明人： 上条敦

IPC分类号： H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

CPC分类号： H03H9/14541 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  C30B23/025 ,  C30B29/02 ,  C30B29/30 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/29 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6483 ,  H03H9/02929

摘要： 本发明提供一种可提高声表面波元件的IDT的耐电力性的电极结构及其制造方法。声表面波元件(10)具备LiTaO3的压电单晶基板(11)以及IDT(13)，所述IDT(13)设置于所述基板上，包括钛膜(13a)、及形成于所述钛膜上的铝膜或以铝为主成分的膜(13b)。膜(13b)为双晶或单晶的膜。而且，膜(13b)的(111)面相对于压电单晶基板的表面呈角度(θ)而非平行。而且，膜(13b)的[‑1,1,0]方向与压电单晶基板的晶轴的X方向平行。

公开(公告)号：CN107675257A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201711116854.6

申请日：2017-11-13

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 江民红 ,  韩胜男 ,  张津玮 ,  郝崇琰 ,  金琦 ,  严亚飞 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B1/10 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B1/10 ,  C30B33/02

摘要： 本发明公开了一种低损耗铁电压电单晶材料，由K0.5Na0.5NbO3为主体材料和Li2CO3、Bi2O3和CuO为掺杂原料，通过无籽固相晶体生长技术、CuO掺杂改性技术和热处理技术制备而成，其化学式为：(1–y)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3)-yCuO，其中0.001≤y≤0.01，其介电损耗为tanδ=1~3%，相对介电常数为300~500，压电常数为d33=50~205 pC/N。其制备方法包括以下步骤：1）原料的干燥；2）原料的球磨；3）球磨产物的预烧；4）预烧后产物的球磨；5）球磨后粉料的压片和烧结，获得单晶；6）单晶的退火处理。本发明的优点是：所制备的材料获得了低的介电损耗，最低可达tanδ=1%，同时具有较高的压电性能，最高可达d33=205pC/N。

公开(公告)号：CN107636213A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680034032.0

申请日：2016-06-08

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 梶谷富男

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H03H9/02559

摘要： 本发明的课题是提供一种温度、时间等相关的处理条件的管理容易而且体积电阻值的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。本发明的解决方案是使用通过切克劳斯基法培养成的LN单晶制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度超过1000质量ppm且在2000质量ppm以下并且被加工成基板状态的LN单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中，在450℃以上且小于550℃的温度条件下进行热处理，由此来制造体积电阻率被控制在超过1×1010Ω·cm且在2×1012Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。

公开(公告)号：CN107615448A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680032041.6

申请日：2016-06-01

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 秋山昌次 ,  川合信

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

CPC分类号： H01L41/335 ,  B32B18/00 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0036 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/00 ,  C23C14/48 ,  C23C14/5833 ,  C30B29/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02559

摘要： 本发明提供一种复合晶片，其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说是一种复合晶片的制造方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN107313109A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710455512.0

申请日：2017-06-16

申请人： 天通控股股份有限公司

发明人： 徐秋峰 ,  张寒贫 ,  张忠伟 ,  张鸿 ,  张坚 ,  陈晓强 ,  沈礼东 ,  陈铖 ,  沈晓燕

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B17/00

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B17/00

摘要： 本发明公开了一种压电晶体的制造方法，使用泡生法来生长压电晶体，晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时，采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长，所述提拉速度

公开(公告)号：CN103262274B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201180047348.0

申请日：2011-10-13

申请人： H.C.材料公司

发明人： P·韩 ,  J·田 ,  K·曼尼欧 ,  B·斯通

IPC分类号： H01L41/16 ,  C04B35/491 ,  C01G23/00 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/183 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/96 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  G03H3/00 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/332 ,  H01L41/338 ,  H03H9/02015 ,  Y10T29/42

摘要： 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。

公开(公告)号：CN106948005A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710003835.6

申请日：2017-01-04

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 阿部淳

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供一种不需减压工序的，均质性高的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上，1×1012Ω·cm未满的钽酸锂单晶基板的制造方法。本发明包括，将体积电阻率为1×1012Ω·cm以上，且单区域构造的钽酸锂单晶基板，常压下，氢氛围中，400℃以上，居里温度以下的温度进行热处理的第一工序和，将该第一工序处理的钽酸锂单晶基板，与碳酸锂一起，常压下，氢或氮氛围中，400℃以上，居里温度以下的温度进行热处理的第二工序。

公开(公告)号：CN106868595A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710080781.3

申请日：2017-02-15

申请人： 宁夏钜晶源晶体科技有限公司

发明人： 张学锋 ,  董学祥 ,  梁斌

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B1/10 ,  C30B33/00

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B1/10 ,  C30B33/00

摘要： 一种大厚度黑色钽酸锂晶片的制造方法，包括以下步骤：先将钽酸锂晶体按预定的尺寸切割好，得到若干钽酸锂晶片；彻底清除所有所述钽酸锂晶片的表面的污物，并干燥所有所述钽酸锂晶片将镧粉和氧化镧粉分别放入真空烘箱烘干，并向氧化镧粉中掺入5%~15%质量的镧粉，并混匀，即得到还原剂；在坩埚的底部交替铺撒还原剂、放置清洗后的钽酸锂晶片，将装有还原剂和若干钽酸锂晶片的坩埚放入真空还原炉；对炉膛进行抽真空，以1℃/h~50℃/h的速率提升炉内的温度，升温至550℃~600℃，保温20h~40h，降温，当温度低于100℃时，停止抽真空，待炉内的气压与外界相等后从所述真空还原炉中取出坩埚，取出还原后的钽酸锂晶片。

公开(公告)号：CN106757302A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611040828.5

申请日：2016-11-24

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 江民红 ,  郝崇琰 ,  顾正飞 ,  宋嘉庚 ,  严亚飞 ,  张津玮 ,  成钢 ,  饶光辉

IPC分类号： C30B1/10 ,  C30B29/30

CPC分类号： C30B1/10 ,  C30B29/30

摘要： 本发明提供一种铌酸钾钠单晶及其制备方法，以K2CO3、Na2CO3和Nb2O5作为原料，按照摩尔比为0.52:0.48:1进行配料，经过以下步骤：所用原料称量配料前均置于烘箱中烘干；按照摩尔比称取原料装入球磨瓶中球磨；将球磨后产物取出，烘干，压片，预烧；然后以无水乙醇为介质二次球磨后烘干；将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯，然后烧结获得单晶；将铌酸钾钠单晶从陶瓷基体中取出即可得到纯的铌酸钾钠单晶。本发明的优点是：采用无籽固相晶体生长技术在不掺杂其他元素的情况下，通过改变原料的比例、烧结温度、时间以及坯体尺寸，可以得到不同尺寸的纯的铌酸钾钠单晶。

公开(公告)号：CN106087057A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610415225.2

申请日：2016-06-12

申请人： 哈尔滨理工大学

发明人： 代丽 ,  谭超 ,  刘春蕊

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00

摘要： 铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成。方法：一、混合六种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体是三方晶系单晶，晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。