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公开(公告)号:CN110230097A
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201810178000.9
申请日:2018-03-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于光学晶体材料领域,具体涉及铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。该晶体采用提拉法生长。其特征在于它是由Nb2O5、Li2CO3、In2O3、Cr2O3和Nd2O3五种原料制备的,其中所述Nb2O5、Li2CO3、In2O3、Cr2O3和Nd2O3的浓度分别为50.79mol%、48.05mol%、1mol%、0.15mol%和0.01mol%。本发明制备的铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体的光泽度高,无裂纹,在670nm处吸收强度较大,可被670nm波长的泵浦光源激发,与激光商业二极管有良好的匹配,并且抗光损伤能力较高。在发光显示、太阳能电池、固体激光器、反斯托克斯制冷等领域都具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN106087057A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610415225.2
申请日:2016-06-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它涉及铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品:由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成。方法:一、混合六种原料;二、采用提拉法生长晶体,得到多畴晶体;三、极化,得到极化后的晶体;四、切割、抛光,得到Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体是三方晶系单晶,晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,抗光损伤性能较高;本发明制备方法简单,便于操作,晶体生长速度快。
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公开(公告)号:CN106012019A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610415223.3
申请日:2016-06-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决。产品:由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成。方法:一、混合四种原料;二、采用提拉法生长晶体,得到多畴晶体;三、极化,得到极化后的晶体;四、切割、抛光,得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,抗光损伤性能较高,能够做为激光晶体材料;本发明制备方法简单,便于操作,晶体生长速度快;这种晶体材料可在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔,此外对高密度存储、制备集成光学器件、红外探测也具有重要意义。
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公开(公告)号:CN207808105U
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201721765686.9
申请日:2017-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于内圆切割机的激光定位装置。它包括环形刀片,工作台,刀片保护罩,激光灯底座,所述激光灯底座分为上底座和下底座,下底座与刀片保护罩相连,上底座通过四个调节螺丝固定在下底座上,所述上底座边缘有刻度线,中部有限位凹槽,一十字激光灯卡在凹槽内且可在凹槽内滑动,所述激光灯内设有电源和开关,尾部设有对齐线,所述对齐线用于定位激光灯所在位置计算切割次数。本实用新型操作简单,可使切割位置清晰和切割次数明了,能有效地提高切割效率和精确度。
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