公开(公告)号：CN107758742A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201711116853.1

申请日：2017-11-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  金琦 ,  严亚飞 ,  韩胜男 ,  李林 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C01G33/00

CPC classification number: C01G33/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16

Abstract: 本发明公开了锂、锑掺杂的碱金属铌酸盐微纳米线材料，是以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、BaCO3、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3为原料，按照化学式(0.94-x)KyNa(1-y)NbO3-xBaBiO3-0.06LiSbO3进行配料，其中0.016≤x≤0.080，0.4≤y≤0.6，经传统陶瓷工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤：1）所有原料烘干，除去水分；2）按化学式的成分质量比称取原料，进行球磨；3）将球磨之后的粉料取出、烘干、预烧；4）然后将预烧后的粉料再次进行第二次球磨；5）将二次球磨后的粉料取出、烘干、压制成圆坯；6）将压制好的圆坯在一定条件下保温处理即可。本发明的优点是采用了简单低成本的陶瓷工艺，即传统的固相烧结工艺进行制备；锂、锑元素的加入有效降低了碱金属铌酸盐微纳米线的生长温度，降低了能量消耗，从而降低了生产成本。

公开(公告)号：CN106673062A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611181133.9

申请日：2016-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  严亚飞 ,  郝崇琰 ,  李林 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C01G33/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G33/006 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/16 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明提供一种碱金属铌酸盐微纳米线材料及其制备方法，以Na2CO3、K2CO3、BaCO3、Nb2O5、Bi2O3为原料，按照化学式(1‑x)KyNa1‑yNbO3‑xBaBiO3进行配料，其中0.15≤x≤0.07，0.4≤y≤0.6。其制备方法包括：（1）所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干；（2）准确称量后，以无水乙醇为介质球磨；（3）将球磨后产物取出，烘干，预烧；（4）以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯固相烧结，在烧结体中获得碱金属铌酸盐微纳米线。本发明的优点是可采用传统陶固相烧结法获得碱金属铌酸盐微纳米线。

公开(公告)号：CN106542824A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610990455.1

申请日：2016-11-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  严亚飞 ,  宋嘉庚 ,  郝崇琰 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/9653

Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基透明陶瓷以Na2CO3、K2CO3、Bi2O3、BaCO3、Nb2O5为原料，按照化学式(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBaBiO3进行配料，式中x表示体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.08。其制备方法包括：（1）所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干；（2）准确称量后，以无水乙醇为介质球磨；（3）将球磨后产物取出，烘干，预烧；（4）以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得透明陶瓷。本发明的优点是通过调整BaBiO3的掺杂量，运用传统陶瓷工艺制备的铌酸钾钠基透明陶瓷，其可见光透光率可以达到75%。

公开(公告)号：CN104263991A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410555784.4

申请日：2014-10-20

Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 陈光明 ,  刘心宇 ,  黄锡文 ,  叶凡 ,  王振宇 ,  李波 ,  周秀娟 ,  陈旭

IPC: C22C5/06 ,  B22F3/16 ,  B22F3/10 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种合金粉末锭高压氧化制备银氧化锡触头材料的方法，包括以下步骤：1)按照需要制备的银氧化锡触头的材料配比计算所需物料的用量，称取相应量的物料制成银锡合金粉；2)将银锡合金粉制成锭坯；3)锭坯置于保护气氛中进行预烧结，得到预烧锭；所述预烧结的温度为300～800℃，时间为2～5h；4)预烧结锭置于含氧气氛中氧化，得到氧化锭；所述氧化的工艺参数为：压力为0.2～1MPa，温度为600～900℃，时间为2～10h；5)所得氧化锭进行烧结，挤压，即得。本发明所述方法可提高颗粒粉末之间的结合强度，并进一步改善银氧化锡材料组织的均匀性，从而提高银氧化锡触头材料的力学物理性能和电性能。

公开(公告)号：CN103864412A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410063590.2

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  杨涛 ,  刘心宇 ,  冯琴 ,  陈国华 ,  黎清宁 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法，主要成分为BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体，其中0.01≤x≤0.05，符号MII为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。将BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体与有机载体按质量比74：26混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将电阻浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在700~900℃烧结下，保温120分钟即可得到低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在20～80μm内，热敏常数值介于1000~4000K之间，室温电阻率处于0.7Ω·cm~20kΩ·cm范围内，150℃下保温650小时的老化率低于2%。

公开(公告)号：CN102260044A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110112607.5

申请日：2011-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  张文俊 ,  刘心宇

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种储能铌酸盐微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法是以BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、B2O3、TiO2、BaF2为起始原料，按照aNa2O.bSrO.cBaO.dNb2O5.eSiO2.fB2O3.gXY2(X＝Ti，Ba；Y＝O，F)的比例配料，经球磨混料6h后烘干，在1530-1550℃高温熔化2-3h，再经快速冷却、退火得到高致密度的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在30-100范围内可调，直流击穿场强最高达1500kV/cm。

公开(公告)号：CN102005273A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN101913868A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010247474.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  邓满姣 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  徐华蕊 ,  刘超英

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法，它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料，LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成；以无水乙醇为介质湿磨，烘干后合成瓷料；瓷料经二次球磨，烘干后加粘结剂造粒，在110MPa的压力下压制成素坯试样，将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结，烧结后，随炉冷却至室温，即制得KNN基陶瓷，控制烧结温度和烧结时间，还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺，在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷，如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。

公开(公告)号：CN100595319C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810073409.0

申请日：2008-01-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01B5/14 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明公开了一种ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法，它以分析纯Bi2O3粉末作为掺杂原料，纯度为99.95%的纳米氧化锌为主体材料组成，Bi2O3的掺入量为总重量的1-5%，配料经360-720分钟球磨混合、在30-60MPa的压强下压制3-15分钟成型，在空气中1200-1400℃下常压、保温烧结60-360分钟，制备得ZnO:Bi陶瓷靶材，在本底真空度为8.0×10-5Pa、充纯氩后的气体压强为1-3Pa的条件下，经射频磁控溅射制膜，再在真空度≤0.1Pa的真空环境中退火热处理制成，表达式为ZnO:Bi，各组分原料用量重量比为ZnO 95-99%，Bi2O31-5%。这种光电薄膜具有良好的光电性能，电阻率达9.0×10-4Ω·cm，可见光透过率达85%以上，在波长小于370nm的紫外波段透过率表现为截止状态，具有良好的紫外隐身效果，同时所采的原料纯度低，且工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN101200370A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710050304.9

申请日：2007-10-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/475 ,  H01L41/16

Abstract: 本发明公开了一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料，所公开的无铅压陶瓷成分用通式(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－x(Bi1/2K1/2)TiO3－yBi(Me)O3和(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－x(Bi1/2K1/2)TiO3－yBi(Me)O3+zMaOb来表示，式中x、y和z表示摩尔分数，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.2，0≤z≤0.1，Me为三价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。本发明无铅压电陶瓷，陶瓷致密度高，性能优良，其压电常数d33可达180pC/N以上，Kp可达0.36以上。该体系无铅压电陶瓷采用传统电子陶瓷制备工艺制备，烧结温度低，制备工艺简单、稳定，适宜产业化生产。