公开(公告)号：CN101747038A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910114460.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇 ,  邓满姣 ,  唐焕丽

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3－LiSbO3－BiScO3无铅压电陶瓷，它是在K0.5Na0.5NbO3－LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成，组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3－xLiSbO3－yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时，以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结。烧结后，随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N，平面机电耦合系数kp可达0.52以上，机械品质因素Qm可达54.00，常温下介电常数εr可达1742，介电损耗(tan θ)低于2.5％。

公开(公告)号：CN101747038B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910114460.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇 ,  邓满姣 ,  唐焕丽

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷，它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成，组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时，以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结。烧结后，随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N，平面机电耦合系数kp可达0.52以上，机械品质因素Qm可达54.00，常温下介电常数εr可达1742，介电损耗(tanθ)低于2.5％。

公开(公告)号：CN101913868B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010247474.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  邓满姣 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  徐华蕊 ,  刘超英

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法，它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料，LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成；以无水乙醇为介质湿磨，烘干后合成瓷料；瓷料经二次球磨，烘干后加粘结剂造粒，在110MPa的压力下压制成素坯试样，将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结，烧结后，随炉冷却至室温，即制得KNN基陶瓷，控制烧结温度和烧结时间，还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺，在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷，如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。

公开(公告)号：CN101913868A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010247474.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  邓满姣 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  徐华蕊 ,  刘超英

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法，它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料，LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成；以无水乙醇为介质湿磨，烘干后合成瓷料；瓷料经二次球磨，烘干后加粘结剂造粒，在110MPa的压力下压制成素坯试样，将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结，烧结后，随炉冷却至室温，即制得KNN基陶瓷，控制烧结温度和烧结时间，还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺，在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷，如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。