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公开(公告)号:CN117263674B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202311185545.X
申请日:2023-09-14
申请人: 景德镇陶瓷大学
IPC分类号: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要: 本发明公开了一种镧系元素与Cr、W共掺杂型CaBi4Ti4O15高温压电陶瓷材料及其制备方法,针对CaBi4Ti4O15陶瓷材料A位的Ca2+离子,采用具有12配位的+3价镧系金属离子进行掺杂取代,针对B位的Ti4+离子,采用复合高价离子[Cr1/3W2/3]5+进行掺杂取代,通过上述复合掺杂改性,在不降低居里温度的同时,提高其压电性能和高温电阻率,从而提供了一种新型的、综合电性能优良的、环境友好型压电陶瓷材料,该材料具有良好的高温稳定性,在高温领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法采用先进的陶瓷制备工艺,烧成温度低,制备成本低,工艺简单易操作,影响因素易控制,适合于大批量工业化生产,有助于推广和应用。
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公开(公告)号:CN118851748A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410879361.1
申请日:2024-07-02
申请人: 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号: C04B35/475 , H01G4/12 , H01G4/005 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 本发明公开一种储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法,其中,储能陶瓷材料的通式为(1‑y)(Bi0.5Na0.5)(1‑x)AxDE3‑yG;其中,D为Ti元素,E为O元素;ADE3为能够提高Bi0.5Na0.5TiO3的稳定性的改性剂通式,以得到具有准同型相界的(Bi0.5Na0.5)(1‑x)AxDE3;G为能够在所述准同型相界处引入的弛豫剂通式;x的取值范围为0.06≤x≤0.25,y的取值范围为0<y≤0.18。由于Bi0.5Na0.5TiO3经过改性剂的改性后结构更加稳定了,并且还具有了准同型相界,使得可以通过在准同型相界中引入弛豫剂来提高材料的性能。
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公开(公告)号:CN118184342B
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410243132.0
申请日:2024-03-04
申请人: 西南科技大学
IPC分类号: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要: 本发明公开了一种高压烧结提升铁电陶瓷铁电性能的方法,包括:称量铁电陶瓷原料粉末制备陶瓷粉体;对制备好的陶瓷粉体进行压制,进行冷等静压成型,保压后获得陶瓷坯体;将陶瓷坯体切成块状样品,将陶瓷块状样品放入铰链式六面顶压机的样品组装里,抽真空,升温加热,同时施加压力并保压;随炉冷却,取出得到性能增强的铁电陶瓷的样品。本发明显著提高了铁电陶瓷剩余极化强度,通过精确调控烧结压力,实现了陶瓷的致密化、晶粒均匀度改善和电畴细化,降低了烧结能耗,抑制了无铅压电陶瓷组成中易挥发元素的挥发,提高了材料的纯度,通过高压烧结诱发内应力,实现了在较低炉温下短时间内的快速致密化,有效缩短了制备周期。
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公开(公告)号:CN116332639B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202211569319.7
申请日:2022-12-08
申请人: 上海材料研究所有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/475 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/495 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H01C7/02
摘要: 本发明涉及一种低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料及制备方法,本发明通过改良钛酸钡基无铅PTC材料的配方以及调整还原气氛组成和配比,采用分段烧结的方式,来优化材料性能。其中第一次烧结过程中,通入还原性气体(CO:N2=1:4)来消耗氧气并制造还原气氛,从而大幅降低陶瓷的室温电阻率。在第二阶段的再氧化烧结过程中,晶界部分被氧化,使得陶瓷的升阻比大幅提升,达到可与含铅PTC相媲美的优良性能,大大减少环境污染。
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公开(公告)号:CN118619664A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410681817.3
申请日:2024-05-29
申请人: 北京科技大学
IPC分类号: C04B35/475 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种具有高储能密度和优异环境稳定性的钛酸铋钾基陶瓷及其制备方法,属于电介质储能陶瓷材料领域。所述陶瓷的化学式为:(1‑x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3‑0.5Bi0.5Na0.5TiO3)‑xNaTaO3,其中x为NaTaO3的掺杂系数,x=0.0001~0.4。当x=0.18时,弛豫铁电陶瓷的击穿场强为740 kV/cm,高于大多数铋基储能陶瓷,其储能密度为15.0 J/cm3。此外,该陶瓷还表现出优异的环境稳定性,在10‑200Hz测试条件,有效储能密度为10.90±0.09 J/cm3;在101‑108循环次数下,有效储能密度为9.30±0.13 J/cm3。
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公开(公告)号:CN118545994A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410662972.0
申请日:2024-05-27
申请人: 安徽工程大学
IPC分类号: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
摘要: 本发明提供了一种快速烧结技术制备的具有优异介电温度稳定性的无铅环保钛酸铋钠基复合介质储能陶瓷及其制备方法和应用,(100‑x‑y)mol%Na0.5Bi0.5TiO3‑x mol%K0.5Bi0.5TiO3‑y mol%Sr0.25Ca0.25Na0.25Bi0.25Ti0.69Zr0.14Sn0.17O3‑zwt%MeF2,18<x<22.9,5.9<y<9.5,4.6<z<6.7,Me=Ca,Sr,Ba;原料粉体混合后,球磨、预烧,倒入模具后,经过放电等离子烧结得到陶瓷块体材料,有效储能密度为7.1J/cm3,且其优异的介电温度稳定性满足用于X9R电容器的要求。
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公开(公告)号:CN118405923A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410477893.2
申请日:2024-04-19
申请人: 成都凯天电子股份有限公司
IPC分类号: C04B35/493 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097 , G01P15/09
摘要: 本发明提供一种压电陶瓷材料及其制备方法和应用,属于电子陶瓷技术领域。压电陶瓷材料由以下化学计量通式表示:Pb(Zr0.52Ti0.48)(1‑x)TaxO3‑ywt%Ca(1‑2z)MzCezBi4Ti4O15;其中,M为Li、Na及K中的至少一种,0.02≤x≤0.04,0.4≤y≤1.2且0.015≤z≤0.07。本发明还包括压电陶瓷材料的制备方法及其在制备中温压电加速度计中的应用。本发明的压电陶瓷材料具有高居里点、高压电性能、高电阻率及优异的温度平直响应性能,该材料作为敏感芯体可用于制备宽温、宽频和高灵敏度压电加速度计。
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公开(公告)号:CN118405919A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410511745.8
申请日:2024-04-26
申请人: 陕西科技大学
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B35/465 , C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 本发明公开了一种基于闪烧变电流制备高熵陶瓷的方法及高熵陶瓷,方法包括步骤:1、按照化学式(Bi0.2Ba0.2Na0.2Sr0.2Ca0.2)0.2TiO3,取Bi2O3、BaCO3、Na2CO3、SrCO3、CaCO3和TiO2粉体,采用湿法球磨混合,烘干后,得到混合物A;2、将混合物A置于坩埚中,将坩埚置于马弗炉内进行预烧,将预烧后的粉体依次湿法球磨、烘干和过筛,得到(Bi0.2Ba0.2Na0.2Sr0.2Ca0.2)0.2TiO3粉体;3、将(Bi0.2Ba0.2Na0.2Sr0.2Ca0.2)0.2TiO3粉体放入模具,压制成型,得到高熵陶瓷生胚;4、将高熵陶瓷生胚置于管式炉中,以10℃/min的升温速率自室温升温至650℃,接着在陶瓷生坯的两端施加电压为150V/cm、电流密度为20~40mA/mm2的电场,从发生闪烧现象开始,持续闪烧60s,得到高熵陶瓷,具有高储能密度。
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公开(公告)号:CN118405918A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410511724.6
申请日:2024-04-26
申请人: 陕西科技大学
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/465 , C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 本发明公开了一种电场辅助烧结制备高熵陶瓷的方法及高熵陶瓷,方法包括步骤:1、按化学式(NaBiBaSrCa)0.2TiO3,取BaCO3、Na2CO3、SrCO3、CaCO3、TiO2和Bi2O3粉体,采用湿法球磨混合,烘干后得到混合物A;2、将混合物A置于坩埚中,将坩埚置于马弗炉内,预烧,依次湿法球磨、烘干和过筛,得到(NaBiBaSrCa)0.2TiO3粉体;3、将(NaBiBaSrCa)0.2TiO3粉体放入模具,压制得到(NaBiBaSrCa)0.2TiO3陶瓷生坯;4、将(NaBiBaSrCa)0.2TiO3陶瓷生坯置于管式炉中,以10℃/min的升温速率自室温升温至600℃,接着在陶瓷生坯的两端施加电压为150~250V/cm、电流密度为30mA/mm2的电场,从发生闪烧现象开始,持续闪烧60s,得到高熵陶瓷,具有高储能效率和高储能密度以及优异的介电性能。
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公开(公告)号:CN116477945B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202211549965.7
申请日:2022-12-05
申请人: 湖南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要: 本发明提供一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷,其包括用于促进织构化发生的模板晶体材料Ba2Bi4Ti5O18和铌酸钾钠基体材料,所述铌酸钾钠基体材料定向生长在所述模板晶体材料上,其化学通式为:X Ba2Bi4Ti5O18‑(1‑X)K0.48Na0.535NbO3,其中X为模板晶体材料的摩尔分数,且0.72≤X≤0.9。本发明通过将Ba2Bi4Ti5O18和K0.48Na0.535NbO3两种材料以特定的比例进行织构化,由于两种材料之间的相互协同作用,使所形成的织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷获得了综合电学性能的提高。
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