公开(公告)号：CN118973364A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410948299.7

申请日：2024-07-16

申请人： 索罗曼(常州)合金新材料有限公司 ,  广州众山精密科技有限公司

发明人： 黎家就 ,  吕建钢 ,  侯早霞

IPC分类号： H10N30/853 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/093

摘要： 一种铌铪锆铁酸钾钠锂铋铜无铅压电陶瓷材料及其制备方法以及一种无铅压电陶瓷及其制备方法，其中铌铪锆铁酸钾钠锂铋铜无铅压电陶瓷材料的化学通式为[(K0.45Na0.55)0.955(1‑y)Li0.955y(Bi0.5Na0.5)0.045Cu0.01][Nb0.955(Hf1‑xZrx)0.045Fe0.005]O3，其中0＜x≤0.4，0≤y≤0.04。本发明得到铌铪锆铁酸钾钠锂铋铜无铅压电陶瓷在具有较高压电活性的同时还保持了较高的机械品质因数；而且具有较高压电性能的同时，还能有效地提升了居里温度，在更大的温度范围内可以得到应用。

公开(公告)号：CN118812259A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411060251.9

申请日：2024-08-05

申请人： 湖南省程湘新材料科技有限公司

发明人： 张晓云 ,  方豪杰 ,  曾雄 ,  刘建平

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  H10N30/853 ,  H10N30/084

摘要： 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种大功率压电陶瓷及其制备方法，其化学结构式如下：Pb(LnxNb1‑x)z(ZryTi1‑y)1‑zO3‑αwt%NaNbO3‑βwt%BiMnO3其中，Ln为镧系元素；0.2≤x≤0.8，0.2≤y≤0.8；0.1≤z≤0.3；0＜α≤10，0＜β≤10，本发明所制备压电陶瓷材料的压电性能优异，具有大功率压电陶瓷的性能特点，可以满足超声电机在空间环境中实际应用。

公开(公告)号：CN118648242A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202380020170.3

申请日：2023-02-24

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 林泰伸

IPC分类号： H03H9/145 ,  H10N30/06 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/87

摘要： 本发明提供可以有效地降低IDT电极的电阻的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)、以及设置在压电性基板(2)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)在将作为母元素的金属元素设为A、将作为添加物的元素设为B时，具有使用了含有母元素A和添加物B的电极材料的层。母元素A和添加物B是在二元相图中不形成化合物的2种元素。电极材料中，添加物B在母元素A中分散为粒状。

公开(公告)号：CN116813339B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202310540861.8

申请日：2023-05-12

申请人： 广东奥迪威传感科技股份有限公司

发明人： 廖忠新 ,  邱䶮 ,  黄仕华 ,  张曙光

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853

摘要： 本发明公开了一种无铅压电陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷技术领域。无铅压电陶瓷的化学通式为：aK0.48Na0.54Nb0.96O3‑bSb2O3‑cZrO2‑dBi2O3‑xFe2O3‑yCuO‑zMnO2，其中0.92≤a≤0.98,0.02≤b≤0.08,0.02≤c≤0.08,0.01≤d≤0.05,0≤x≤0.03，0≤y≤0.03，0≤z≤0.03。本申请通过引入氧化铁、氧化铜、氧化锰三者协同辅助铌酸钾钠基陶瓷的烧结，可以降低陶瓷的烧结温度，避免高温下钾钠元素的挥发，在该较低烧结温度的条件下提高铌酸钾钠基陶瓷的烧结性能，减少气孔率，提高了压电陶瓷的致密度和压电性能。

公开(公告)号：CN118175913B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410591535.4

申请日：2024-05-14

申请人： 北京航空航天大学

发明人： 徐惠彬 ,  高明 ,  王方方 ,  张虎

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/30 ,  H10N30/076 ,  H10N30/00

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种氧化锌薄膜压电传感器，包括刚性支撑基底，刚性支撑基底提供结构支撑，刚性支撑基底上设有第一电极层，第一电极层上设有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜包括氧化锌主组分以及掺杂组分；掺杂组分包括P型掺杂源、N型掺杂源和加工带入掺杂源；各掺杂组分中的所有元素均以氧化物的形式掺杂到氧化锌薄膜中；氧化锌薄膜上设有第二电极层，第二电极层上设有保护层；第一电极层和第二电极层上设置连接线，连接线将传感器与传感器测量电路连接，本发明对工艺参数进行优化，使制备的薄膜组分含量接近预设组分含量，可应用于触摸屏、医疗设备和工业自动化等领域。

公开(公告)号：CN113412579B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201980091764.7

申请日：2019-09-26

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 岸本谕卓 ,  池内伸介

IPC分类号： H03H9/17 ,  H10N30/06 ,  H10N30/87 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/045 ,  H04R17/00

摘要： 压电驱动部(120)由多个层构成，直接或间接支承于基部(110)。压电驱动部(120)包含压电体层(130)、上部电极层(140)以及下部电极层(150)。上部电极层(140)配置于压电体层(130)的上侧。下部电极层(150)以夹着压电体层(130)而与上部电极层(140)的至少局部相对的方式配置。在压电驱动部(120)中，通过设有沿着上下方向贯通的贯通槽(121)而形成一对内侧面(122)。一对内侧面(122)分别包含贯通槽(121)的宽度从压电体层(130)的上端面(131)朝向下方逐渐变窄的第1窄幅部(123)。

公开(公告)号：CN113557612B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202080020217.2

申请日：2020-03-02

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 平山武 ,  田畑周平 ,  志村元

IPC分类号： H10N30/853 ,  B41J2/14 ,  C04B35/495

摘要： 压电陶瓷组合物是由组成式AxBO3表示，包含占A位点的物质的量的8成以上的K和Na、以及占B位点的物质的量的7成以上的Nb的铌酸钾钠系的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物在B位点包含Ta和Fe。

公开(公告)号：CN118359432A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410305540.4

申请日：2024-03-18

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 施立志 ,  郭敬恒 ,  梁瑞虹 ,  张文斌 ,  陈政燃

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853 ,  H10N30/20

摘要： 本发明涉及一种烧结收缩可控的锆钛酸铅压电陶瓷粉体及其制备方法和应用。所述烧结收缩可控的锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法包括以下步骤：(1)按相应化学计量比称取锆钛酸铅压电陶瓷所需的原料粉体并进行混合，得到原料生粉；(2)将所述原料生粉成型并进行固相合成，对所述固相合成后的块体进行破碎与干法机械振磨，得到锆钛酸铅压电陶瓷初粉；(3)将所述锆钛酸铅压电陶瓷初粉装入坩埚并打孔，经预烧，得到所述烧结收缩可控的锆钛酸铅压电陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN118339944A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280077094.5

申请日：2022-11-21

申请人： 耶达研究与发展有限公司

发明人： I·卢博米尔斯基 ,  马克西姆·瓦列尼克

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/093 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626

摘要： 本公开内容提供了表现出电致伸缩性质的基于掺杂的二氧化铈的材料及其制备方法。

公开(公告)号：CN112750941B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202011162665.4

申请日：2020-10-27

申请人： TDK株式会社

发明人： 木村纯一 ,  井上柚华梨

IPC分类号： H10N30/50 ,  H10N30/853 ,  C04B35/581

摘要： 本发明提供一种压电薄膜元件，所述压电薄膜元件具备第一电极层和压电薄膜，第一电极层包含具有晶体结构的金属Me，压电薄膜包含具有纤锌矿型结构的氮化铝，氮化铝包含二价元素Md以及四价元素Mt，[Al]是氮化铝中的Al的含量，[Md]是氮化铝中的Md的含量，[Mt]是氮化铝中的Mt的含量，([Md]+[Mt])/([Al]+[Md]+[Mt])为36原子％以上且70原子％以下，LALN是平行于第一电极层的与压电薄膜相接的表面的方向上的氮化铝的晶格长度，LMETAL是上述方向上的Me的晶格长度，LALN比LMETAL长。