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公开(公告)号:CN113810017B
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202111132619.4
申请日:2016-11-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 稻手谦二
Abstract: 提供一种能够实现小型化并且难以产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置具备:压电基板(2);第1弹性波元件(15),设置在压电基板上,具有至少一个第1IDT电极(12A)和设置于设置有第1IDT电极的区域的第1方向的一侧的第1反射器(13A);和第2弹性波元件(16),设置在压电基板上,具有至少一个第2IDT电极(12B)和设置于设置有第2IDT电极的区域的第1方向的一侧的第2反射器(14A),第1与第2反射器沿着第1方向排列,该弹性波装置还具备反射部件(17),该反射部件被设置于第1与第2反射器之间,平面形状的外形具有曲线或者具有相对于第1方向倾斜的边,沿着与第1方向交叉的方向而被配置1列。
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公开(公告)号:CN119451539A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411523535.7
申请日:2024-10-29
Applicant: 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种异构芯片的晶圆级封装结构及其制备方法。其中,所述制备方法将所述第一芯片倒置堆叠于所述第二芯片上,并利用金属互连层分别实现二者的电极引出。不仅降低了主板面积的占用率,提高了集成密度,还无需制备玻璃载板,降低制备成本,提高工艺效率,从而在2D封装的基础上实现2.5D封装及3D封装的工艺效果。此外,在所述第一芯片倒置的情况下,所述第一芯片中的所述空腔的开口经所述金属互连层中的所述键合区域遮盖,并经所述塑封胶层实现密闭。因此,无需在制备所述第一芯片的过程中使用昂贵的干膜来遮盖所述空腔的开口,进一步降低了制备成本,提高了工艺效率。
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公开(公告)号:CN119384210A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411962427.X
申请日:2024-12-30
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域。其中,半导体结构包括基板、第一电极层、电介质层和第二电极层。第一电极层与第二电极层可用于与外部电源连接,从而使得本申请的半导体结构可通电。基板的第一侧的表面为凹凸结构,使得基板的第一侧表面具有凹陷和凸起结构,这样电介质层内的结晶在基板的第一侧的表面生长时,结晶的部分位于凹凸结构的凹陷内,结晶的另一部分位于凹凸结构凸起上,位于凹陷结构内的结晶与位于凸起结构上的结晶可相互作用而变形,从而可提高结晶的介电性能,进而可提高本申请的半导体结构的介电性能。
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公开(公告)号:CN119325760A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202380045547.0
申请日:2023-05-25
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: H10N30/20 , B41J2/14 , H10N30/088 , H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供抑制裂缝的产生的管芯、该管芯的制造方法、具备该管芯的液滴排出头及液滴排出装置。本发明的管芯具有包括压电体元件和成为压力室的中空部的压电体致动器,压电体元件至少具有压电体膜、位于压电体膜之上的第一电极及位于压电体膜之下的第二电极,在压电体致动器中,第二电极兼作振动板或在第二电极之下另外具有振动板,中空部位于兼作振动板的第二电极或另外具有的振动板之下,压电体膜将主面设为(001)面,晶体方位在主面面外方向及主面面内方向上对齐,在将从压电体膜的主面面外方向观察时的中空部的长边方向设为第一方向,将压电体膜的[100]方向设为第二方向时,第一方向与第二方向形成的锐角θ1在30~60°的范围内。
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公开(公告)号:CN114497346B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202210097325.0
申请日:2022-01-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于喷涂非金属电极的柔性电致动器及其制备方法;所述离子聚合物中间层由TPU胶粒在DMF溶液中溶解并与离子液体以一定比例混合均匀后,滴于特定玻璃容器表面经特定温度程序烘干制成;离子聚合物中间层的上表面、下表面均通过超声喷涂工艺覆盖一层非金属电极层;非金属电极层前驱体溶液由非金属导电高分子材料、碳纳米管、二甲基亚砜、乙醇和离子液体按一定比例均匀混合而成,电极层前驱体溶液通过超声喷涂工艺附着到离子聚合物中间层上下两面,喷涂过程有热台持续加热。本发明不但可以低成本便捷进行大规模制备以及自定义图案化,而且器件的致动速度也会有较好的保证。
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公开(公告)号:CN119182372A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202410792368.X
申请日:2024-06-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/02 , H03H9/13 , H10N30/082 , H10N30/87
Abstract: 提供振动元件的制造方法、石英板以及振动元件,能够减少折断振动基板时的断裂位置的偏差。一种振动元件的制造方法,其包括:通过对石英板进行湿蚀刻来形成振动基板、框部和将振动基板与框部连结的连结部;以及通过在连结部处折断振动基板来将振动基板从框部断开,形成所述振动基板、所述框部和所述连结部包括:在所述连结部沿着所述连结部的宽度方向形成作为槽或贯通孔的缺口部,缺口部包括所述宽度方向的一侧的第一端部和所述宽度方向的另一侧的第二端部,所述第一端部和所述第二端部中的至少一方具有靠所述振动基板侧的第一边和靠所述框部侧的第二边,所述第一边与所述第二边之间的距离随着在所述宽度方向上远离所述缺口部的中心而逐渐变小。
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公开(公告)号:CN119171866A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202411256207.5
申请日:2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器,包括一衬底,以及具有平行的正面和背面的压电板,背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案,导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT),其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上,所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号:CN119156114A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411389449.1
申请日:2024-09-30
Applicant: 深圳振华富电子有限公司
Abstract: 本申请提供了一种压电驱动器,包括多个依次叠放地压电驱动堆栈;压电驱动器的驱动伸缩量等于各压电驱动堆栈的驱动伸缩量之和。压电驱动堆栈包括多个依次叠放地压电驱动芯片,压电驱动芯片包括陶瓷绝缘层和电极,陶瓷绝缘层和电极依次交替设置,陶瓷绝缘层上具有第一通孔,也即陶瓷绝缘层的中心孔;电极包括极片部和引脚部,极片部上具有与第一通孔同轴设置,且直径大于第一通孔的第二通孔,第二通孔的直径大于第一通孔的直径,电极的边缘至中心孔的边缘之间形成起到绝缘作用的陶瓷绝缘环;极片部沿厚度方向的投影在陶瓷绝缘层的外轮廓投影之内,确保与邻层的电极的绝对绝缘,为确保同极性电极的电连接,引脚部还需延伸至陶瓷绝缘层的外轮廓边缘。
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公开(公告)号:CN116133507B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202310013353.4
申请日:2023-01-05
Applicant: 黑龙江迪米电陶科技有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/063 , H10N30/067
Abstract: 本发明公开了叠层型压电陶瓷全电极结构,包括上绝缘层、外部正电极层、外部负电极层、下绝缘层、压电介质层、内部正电极层和内部全负电极层。还公开了其制造工艺,将压电介质薄膜多张叠层按设计好的厚度进行热压,形成下绝缘层,在下绝缘层上面印刷内部正电极层进行烘干,烘干完成后,在内部正电极层上叠压电介质薄膜进行热压,热压完成后,在压电介质薄膜上印刷内部全负电极层,再次烘干,如上描述的过程,将内部正电极层,压电介质层和内部全负电极层反复叠层,按设计要求叠层至指定高度,在最上面叠层上绝缘层。
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公开(公告)号:CN119136642A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411268336.6
申请日:2024-09-11
Applicant: 上海声一电子科技有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/063 , B06B1/06
Abstract: 本发明涉及压电复合材料领域,提供一种压电复合材料、制作方法以及超声换能器。压电复合材料包括压电材料、绝缘材料、导电材料以及镀层,压电材料上设有第一切槽;绝缘材料设置于第一切槽内部,绝缘材料上还设有第二切槽;导电材料设置于第二切槽内;镀层包括正极镀层和负极镀层,正极镀层和负极镀层上分别设有第三切槽和第四切槽,使得相邻正极镀层和负极镀层适于导通且串联或不通过导电材料导通且并联设置。制作方法用于制备压电复合材料。超声换能器包括压电复合材料。本发明根据换能器不同的使用场景,简单地改变压电复合材料表面镀层的电学导通方式,即可满足超声系统对于换能器的电学阻抗匹配要求,极大加快研发周期,节省研发费用。
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