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公开(公告)号：CN118573147A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410674746.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN116636142A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180084809.5
申请日：2021-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种声波设备包括：空腔，在基板中；重叠区域，其中，相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的部分彼此相对；第一间隙区域，在第一母线和重叠区域之间，并且包括第一叉指电极，但不包括第二叉指电极；以及第二间隙区域，在第二母线和重叠区域之间，并且包括第二叉指电极，但不包括第一叉指电极。比率d/p为约0.5或更小，其中，d是压电层的厚度，并且p是相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的中心之间的距离。空腔的第一壁位于第一母线或第一间隙区域下方，并且空腔的第二壁位于第二母线或第二间隙区域下方。
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公开(公告)号：CN119171868A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256211.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523746A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674733.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN119171867A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256209.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118523744A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674545.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN119171866A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256207.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN112352382B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980039853.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523747A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674752.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN118523745A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674724.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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