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公开(公告)号：CN118573147A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410674746.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN119171868A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256211.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523746A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674733.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN119171867A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256209.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523744A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674545.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119171866A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256207.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN112352382B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980039853.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523747A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674752.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN118523745A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674724.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN113169721B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980077326.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激发压电板中的剪切声波。
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