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公开(公告)号：CN119171868A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256211.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523746A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674733.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN114503295B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202080070413.0
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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公开(公告)号：CN116545406A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310512524.8
申请日：2020-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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公开(公告)号：CN117882296A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280053854.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了制造滤波器设备的方法。将具有第一厚度的压电板的背表面附接到基板。选择性地蚀刻压电板的前表面，以将压电板的一部分从第一厚度减薄至小于第一厚度的第二厚度。在基板中形成空腔，使得压电板的多个部分形成跨越相应空腔的多个膜片。在前表面上形成导体图案。该导体图案包括：第一叉指换能器(IDT)，在具有第一厚度的第一膜片上具有交织的指状物；以及第二IDT，在具有第二厚度的第二膜片上具有交织的指状物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116636142A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180084809.5
申请日：2021-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种声波设备包括：空腔，在基板中；重叠区域，其中，相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的部分彼此相对；第一间隙区域，在第一母线和重叠区域之间，并且包括第一叉指电极，但不包括第二叉指电极；以及第二间隙区域，在第二母线和重叠区域之间，并且包括第二叉指电极，但不包括第一叉指电极。比率d/p为约0.5或更小，其中，d是压电层的厚度，并且p是相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的中心之间的距离。空腔的第一壁位于第一母线或第一间隙区域下方，并且空腔的第二壁位于第二母线或第二间隙区域下方。
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公开(公告)号：CN116547909A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180072183.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波器件包括压电层和串联臂谐振器和并联臂谐振器，该压电层包括铌酸锂或钽酸锂，串联臂谐振器和并联臂谐振器各自包括在所述压电层上的至少一对第一电极和第二电极。该声波器件使用处于第一厚度剪切模式的体波。串联臂谐振器中的压电层的第一部分的膜厚度不同于并联臂谐振器中的压电层的第二部分的膜厚度。在串联臂谐振器和并联臂谐振器中的每一个中，假设压电层的膜厚度为d并且彼此相邻的第一电极和第二电极的中心之间的距离为p，则比率d/p小于或等于约0.5。
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公开(公告)号：CN118573147A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410674746.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN117177653A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311214365.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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公开(公告)号：CN117177652A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311212339.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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