公开(公告)号：CN119448963A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411010900.4

申请日：2024-07-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿尔伯特·卡多纳 ,  德鲁·莫罗辛

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/13

Abstract: 提供了一种声学谐振器，该声学谐振器包括：基板；压电层，通过一个或多个介电层耦接到基板，并且具有彼此相对的第一表面和第二表面；叉指换能器，在压电层的第一表面和第二表面中的至少一个表面上，并且包括交错指状物；以及电容器，并联电耦接到叉指换能器，并且包括压电层的第一表面上的至少一个第一电极和压电层的第二表面上的金属层，使得压电层夹在该至少一个第一电极和金属层之间。

公开(公告)号：CN117882296A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280053854.9

申请日：2022-07-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 克里斯·奥布莱恩 ,  安德鲁·凯 ,  阿尔伯特·卡多纳 ,  温切斯拉夫·扬捷切夫 ,  帕特里克·特纳 ,  罗伯特·B·哈蒙德 ,  迪伦·凯利

IPC: H03H9/54 ,  H03H9/205

Abstract: 公开了制造滤波器设备的方法。将具有第一厚度的压电板的背表面附接到基板。选择性地蚀刻压电板的前表面，以将压电板的一部分从第一厚度减薄至小于第一厚度的第二厚度。在基板中形成空腔，使得压电板的多个部分形成跨越相应空腔的多个膜片。在前表面上形成导体图案。该导体图案包括：第一叉指换能器(IDT)，在具有第一厚度的第一膜片上具有交织的指状物；以及第二IDT，在具有第二厚度的第二膜片上具有交织的指状物。

公开(公告)号：CN117795848A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280053848.3

申请日：2022-08-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 安德鲁·凯 ,  阿尔伯特·卡多纳 ,  克里斯·奥布莱恩 ,  阿坎克沙·萨哈

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02

Abstract: 描述了用于制造横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR)的过程以及该XBAR。在压电晶片的表面上形成牺牲柱，并且在压电晶片上沉积高度共形介电层以掩埋牺牲柱。对高度共形介电层进行抛光以形成平坦表面并留下覆盖牺牲柱的一定厚度的高度共形介电质。将高度共形介电层的平坦表面接合到衬底晶片的表面。在压电板的前表面上形成导体图案，并且形成穿过压电晶片到达牺牲柱的孔。使用通过压电晶片中的孔引入的蚀刻剂来去除牺牲柱，以在压电晶片的振膜下方形成空腔，该振膜跨越该空腔。

公开(公告)号：CN115622524A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210703070.8

申请日：2022-06-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿尔伯特·卡多纳 ,  克里斯·奥布莱恩 ,  格雷格·戴尔

IPC: H03H9/02

Abstract: 具有低热阻抗的声学谐振器器件，具有衬底和单晶压电板，该压电板具有背面，背面通过键合氧化物(BOX)层附接到衬底的顶面。在板的正面上形成的叉指换能器(IDT)，具有布置在隔膜上的交错的指状物，交错的指状物的重叠距离限定了谐振器器件的孔径。在衬底表面上方的选定位置处形成接触焊盘，以在IDT和要附接到接触焊盘的接触凸块之间提供电连接。压电板从每个接触焊盘下方的器件表面区域的至少一部分去除，以在接触凸块和衬底之间提供较低的热阻。