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发明公开
横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR) 审中-实审

公开(公告)号：CN117795848A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280053848.3

申请日：2022-08-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 安德鲁·凯 , 阿尔伯特·卡多纳 , 克里斯·奥布莱恩 , 阿坎克沙·萨哈

IPC: H03H3/02 , H03H9/02

Abstract: 描述了用于制造横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR)的过程以及该XBAR。在压电晶片的表面上形成牺牲柱，并且在压电晶片上沉积高度共形介电层以掩埋牺牲柱。对高度共形介电层进行抛光以形成平坦表面并留下覆盖牺牲柱的一定厚度的高度共形介电质。将高度共形介电层的平坦表面接合到衬底晶片的表面。在压电板的前表面上形成导体图案，并且形成穿过压电晶片到达牺牲柱的孔。使用通过压电晶片中的孔引入的蚀刻剂来去除牺牲柱，以在压电晶片的振膜下方形成空腔，该振膜跨越该空腔。

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