横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR)
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117795848A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202280053848.3

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 描述了用于制造横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR)的过程以及该XBAR。在压电晶片的表面上形成牺牲柱,并且在压电晶片上沉积高度共形介电层以掩埋牺牲柱。对高度共形介电层进行抛光以形成平坦表面并留下覆盖牺牲柱的一定厚度的高度共形介电质。将高度共形介电层的平坦表面接合到衬底晶片的表面。在压电板的前表面上形成导体图案,并且形成穿过压电晶片到达牺牲柱的孔。使用通过压电晶片中的孔引入的蚀刻剂来去除牺牲柱,以在压电晶片的振膜下方形成空腔,该振膜跨越该空腔。

    具有形成角度的母线侧边缘的横向激发的声学谐振器

    公开(公告)号:CN117083802A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202280024579.8

    申请日:2022-03-21

    Abstract: 一种声学谐振器具有压电板,该压电板附着到基板表面,除了压电板的形成跨过基板中的空腔的振膜的部分以外。形成在板上的叉指换能器(IDT)在振膜上具有交错指,其中第一平行指从IDT的第一母线延伸,并且第二平行指从IDT的第二母线延伸。IDT的第一母线和第二母线终止于斜角,该斜角从振膜延伸出来作为母线的与空腔的周边形成角度的侧边缘。

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