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公开(公告)号：CN119171868A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256211.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523746A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674733.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN118300564A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410417303.7
申请日：2020-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 帕特里克·特纳 , 迈克·艾迪 , 安德鲁·凯 , 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 查尔斯·钟
Abstract: 公开了声波谐振器器件和滤波器。压电板附接到基板，压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。第一导体图案，在压电板的表面上形成。第一导体图案包括布置在隔膜上的叉指换能器的交错指状物，以及第一多个接触焊盘。第二导体图案，在基部的表面上形成，第二导体图案包括第二多个接触焊盘。第一多个接触焊盘中的每个焊盘直接接合到第二多个接触焊盘中的相应焊盘。在压电板的周边和基部的周边之间形成环形密封。
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公开(公告)号：CN118157615A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311674518.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 道格拉斯·雅乔夫斯基 , 帕特里克·特纳 , 克里斯·奥布莱恩
Abstract: 提供了一种声学谐振器，该声学谐振器包括：衬底；第一压电层，具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中，第二表面直接或经由一个或多个中间层耦接到衬底；第二压电层，具有相对的第一表面和第二表面，其中，第一表面耦接到第一压电层的第一表面并且与衬底相对；蚀刻停止层，设置在第一压电层和第二压电层各自的第一表面之间；以及第一叉指换能器(IDT)和第二IDT，分别在第一压电层和第二压电层中的至少一个压电层上。此外，第一压电层和第二压电层之一的一部分在相应压电层的第二表面与蚀刻停止层之间被去除。
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公开(公告)号：CN117915250A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311353514.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04R17/00
Abstract: 提供了一种用于对射频信号进行滤波的装置。该装置包括基板和耦接到基板的振膜，振膜包括压电材料。该装置还包括耦接到振膜的叉指换能器(IDT)并且包括多个交错指状物。该装置还包括盖子，其中振膜布置在基板和盖子之间，其中，在振膜的第一主表面和盖子之间具有第一空腔，第一空腔具有第一高度，并且在振膜的与第一主表面相对的第二主表面和基板之间具有第二空腔，第二空腔具有第二高度。此外，振膜的第一主表面和盖子之间的第一高度大于多个交错指状物中的至少一对交错指状物的间距，并且至多是第二高度的四倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114503295B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202080070413.0
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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公开(公告)号：CN116545406A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310512524.8
申请日：2020-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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公开(公告)号：CN119341499A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410958487.8
申请日：2024-07-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种装置可以包括基板，该基板包括基底和中间层。一种装置可以包括除了压电层的形成振膜的部分之外由基板支撑的压电层，该振膜跨越至少部分地在中间层中延伸的氦气填充腔。一种装置可以包括叉指换能器(IDT)，该IDT在压电层的表面处并且具有在振膜上的交错指状物，该指状物的厚度小于振膜的厚度的0.5倍且大于振膜的厚度的0.2倍，其中基板的基底和中间层之一限定氦气填充腔的面向振膜的底表面，使得空腔深度在1.0μm至6.0μm之间。
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公开(公告)号：CN119171867A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256209.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523744A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674545.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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