公开(公告)号：CN116545406A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310512524.8

申请日：2020-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 布莱恩特·加西亚 ,  罗伯特·B·哈蒙德 ,  帕特里克·特纳 ,  尼尔·芬齐 ,  维克多·普莱斯基 ,  温切斯拉夫·扬捷切夫

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54 ,  H03H9/13

Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。

公开(公告)号：CN116545407A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310513628.0

申请日：2020-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 布莱恩特·加西亚 ,  罗伯特·B·哈蒙德 ,  帕特里克·特纳 ,  尼尔·芬齐 ,  维克多·普莱斯基 ,  温切斯拉夫·扬捷切夫

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54 ,  H03H9/13

Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。

公开(公告)号：CN115004548B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202080066592.0

申请日：2020-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 布莱恩特·加西亚 ,  罗伯特·B·哈蒙德 ,  帕特里克·特纳 ,  尼尔·芬齐 ,  维克多·普莱斯基 ,  温切斯拉夫·扬捷切夫

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54 ,  H03H9/13

Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。

公开(公告)号：CN116545408A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310513637.X

申请日：2020-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 布莱恩特·加西亚 ,  罗伯特·B·哈蒙德 ,  帕特里克·特纳 ,  尼尔·芬齐 ,  维克多·普莱斯基 ,  温切斯拉夫·扬捷切夫

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54 ,  H03H9/13

Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。

公开(公告)号：CN116545405A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310511615.X

申请日：2020-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 布莱恩特·加西亚 ,  罗伯特·B·哈蒙德 ,  帕特里克·特纳 ,  尼尔·芬齐 ,  维克多·普莱斯基 ,  温切斯拉夫·扬捷切夫

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54 ,  H03H9/13

Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(1DT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。

公开(公告)号：CN117280603A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280030883.3

申请日：2022-04-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 安德鲁·盖耶特 ,  尼尔·芬齐 ,  迈克尔·艾迪 ,  布莱恩特·加西亚

IPC: H03H3/08

Abstract: 公开了具有输入端口以及连接在输入端口和相应输出端口之间的子滤波器的矩阵滤波器。每个子滤波器包括具有n个横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR)串联元件和n‑1个电容器并联元件的梯形电路，其中，n(子滤波器的阶数)是大于2的整数。子滤波器具有不连续通带。

公开(公告)号：CN117242700A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280030881.4

申请日：2022-04-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 安德鲁·盖耶特 ,  尼尔·芬齐 ,  迈克尔·艾迪 ,  布莱恩特·加西亚

IPC: H03H3/08

Abstract: 公开了具有输入端口以及连接在输入端口和相应输出端口之间的子滤波器的矩阵滤波器。每个子滤波器包括具有n个横向激励薄膜体声学谐振器(XBAR)串联元件和n‑1个电容器并联元件的梯形电路，其中，n(子滤波器的阶数)是大于2的整数。每个子滤波器还具有与第一个电容器并联元件并联的第一开关和与最后一个电容器并联元件并联的第二开关。

公开(公告)号：CN117121381A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280025059.9

申请日：2022-03-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 格雷格·戴尔 ,  杨葳 ,  玛丽·尚塔尔·穆坎达提马纳 ,  卢克·迈尔斯 ,  尼尔·芬齐 ,  安德鲁·盖耶特 ,  布莱恩特·加西亚

IPC: H03H9/64

Abstract: 公开了平铺滤波器。滤波器包括子滤波器的n×m阵列，其中，n是并联子滤波器的数量，并且m是串联子滤波器的数量。n和m是非零正整数，并且n和m中的至少一个大于1。nm个子滤波器全部是具有实质上相同通带的带通滤波器。