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公开(公告)号:CN119341499A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202410958487.8
申请日:2024-07-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种装置可以包括基板,该基板包括基底和中间层。一种装置可以包括除了压电层的形成振膜的部分之外由基板支撑的压电层,该振膜跨越至少部分地在中间层中延伸的氦气填充腔。一种装置可以包括叉指换能器(IDT),该IDT在压电层的表面处并且具有在振膜上的交错指状物,该指状物的厚度小于振膜的厚度的0.5倍且大于振膜的厚度的0.2倍,其中基板的基底和中间层之一限定氦气填充腔的面向振膜的底表面,使得空腔深度在1.0μm至6.0μm之间。