声波设备
    1.
    发明公开
    声波设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN116888890A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202280011421.7

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 一种声波设备,包括:支撑基板;压电层,在支撑基板上;第一电极和第二电极,沿支撑基板和压电层的层压方向位于压电层上,第一电极和第二电极在与层压方向交叉的第一方向上相对;以及空间,限定支撑基板的一部分中的空腔、或支撑基板和压电层之间的气隙。在层压方向上的平面图中,第一电极和第二电极中的每一个的至少一部分与空间重叠,并且支撑基板的与压电层相对的主表面的第一粗糙度大于压电层的第一电极和第二电极所位于的主表面的第二粗糙度。

    声波设备
    2.
    发明公开
    声波设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN116547910A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180080393.X

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 一种声波设备包括:支撑基板,包括顶表面和底表面以及空腔或气隙;压电层,在支撑基板上,并包括顶表面和底表面;以及电极,在压电层的顶表面上,并包括顶表面和底表面。电极的至少一部分在空腔或气隙上方,并且满足方程式0.002Tg≤0.5(Lb‑Ls)<Te,其中,Ls是电极的顶表面的最大长度,Lb是电极的底表面的最大长度,Tg是压电层的顶表面和支撑基板的顶表面之间的距离,并且Te是电极的厚度。

    声波器件
    3.
    发明公开
    声波器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117321913A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280035105.3

    申请日:2022-05-16

    Abstract: 一种声波器件包括压电层以及第一谐振器和第二谐振器。第一谐振器包括位于压电层上的第一功能电极和第一介电膜。第二谐振器包括位于压电层上的第二功能电极和第二介电膜。第一谐振器和第二谐振器使用厚度谐振模式。压电层包括分别包括第一谐振器和第二谐振器的部分的第一谐振器部分和第二谐振器部分。第一谐振器的谐振频率低于第二谐振器的谐振频率,并且第一谐振器部分的厚度大于第二谐振器部分的厚度,并且满足ts1/tp1≤ts2/tp2,其中,tp1、tp2、ts1和ts2分别为第一谐振器部分和第二谐振器部分以及第一介电膜和第二介电膜的厚度。

    声波器件
    6.
    发明公开
    声波器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116547909A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180072183.6

    申请日:2021-10-22

    Abstract: 一种声波器件包括压电层和串联臂谐振器和并联臂谐振器,该压电层包括铌酸锂或钽酸锂,串联臂谐振器和并联臂谐振器各自包括在所述压电层上的至少一对第一电极和第二电极。该声波器件使用处于第一厚度剪切模式的体波。串联臂谐振器中的压电层的第一部分的膜厚度不同于并联臂谐振器中的压电层的第二部分的膜厚度。在串联臂谐振器和并联臂谐振器中的每一个中,假设压电层的膜厚度为d并且彼此相邻的第一电极和第二电极的中心之间的距离为p,则比率d/p小于或等于约0.5。

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