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公开(公告)号:CN116888890A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202280011421.7
申请日:2022-01-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波设备,包括:支撑基板;压电层,在支撑基板上;第一电极和第二电极,沿支撑基板和压电层的层压方向位于压电层上,第一电极和第二电极在与层压方向交叉的第一方向上相对;以及空间,限定支撑基板的一部分中的空腔、或支撑基板和压电层之间的气隙。在层压方向上的平面图中,第一电极和第二电极中的每一个的至少一部分与空间重叠,并且支撑基板的与压电层相对的主表面的第一粗糙度大于压电层的第一电极和第二电极所位于的主表面的第二粗糙度。
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公开(公告)号:CN116547910A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202180080393.X
申请日:2021-12-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 一种声波设备包括:支撑基板,包括顶表面和底表面以及空腔或气隙;压电层,在支撑基板上,并包括顶表面和底表面;以及电极,在压电层的顶表面上,并包括顶表面和底表面。电极的至少一部分在空腔或气隙上方,并且满足方程式0.002Tg≤0.5(Lb‑Ls)<Te,其中,Ls是电极的顶表面的最大长度,Lb是电极的底表面的最大长度,Tg是压电层的顶表面和支撑基板的顶表面之间的距离,并且Te是电极的厚度。
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公开(公告)号:CN117321913A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202280035105.3
申请日:2022-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波器件包括压电层以及第一谐振器和第二谐振器。第一谐振器包括位于压电层上的第一功能电极和第一介电膜。第二谐振器包括位于压电层上的第二功能电极和第二介电膜。第一谐振器和第二谐振器使用厚度谐振模式。压电层包括分别包括第一谐振器和第二谐振器的部分的第一谐振器部分和第二谐振器部分。第一谐振器的谐振频率低于第二谐振器的谐振频率,并且第一谐振器部分的厚度大于第二谐振器部分的厚度,并且满足ts1/tp1≤ts2/tp2,其中,tp1、tp2、ts1和ts2分别为第一谐振器部分和第二谐振器部分以及第一介电膜和第二介电膜的厚度。
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公开(公告)号:CN116915204A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310390355.5
申请日:2023-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种体声学谐振器,包括:衬底、压电板和形成在压电板的前表面上的叉指换能器(IDT)。该IDT被配置为在压电板内激发初级剪切声学模式。还包括在压电板的前表面和后表面中的至少一个上的半λ介电层,其中,半λ介电层的厚度与半λ介电层中的基本剪切体声波谐振的波长相关。该设备还包括夹持在衬底的表面和压电板的后表面之间的声学布拉格反射器,该声学布拉格反射器被配置为反射初级声学模式。声学布拉格反射器的交替层的顶层接触压电板或半λ介电层。
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公开(公告)号:CN116636142A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202180084809.5
申请日:2021-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种声波设备包括:空腔,在基板中;重叠区域,其中,相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的部分彼此相对;第一间隙区域,在第一母线和重叠区域之间,并且包括第一叉指电极,但不包括第二叉指电极;以及第二间隙区域,在第二母线和重叠区域之间,并且包括第二叉指电极,但不包括第一叉指电极。比率d/p为约0.5或更小,其中,d是压电层的厚度,并且p是相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的中心之间的距离。空腔的第一壁位于第一母线或第一间隙区域下方,并且空腔的第二壁位于第二母线或第二间隙区域下方。
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公开(公告)号:CN116547909A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202180072183.6
申请日:2021-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波器件包括压电层和串联臂谐振器和并联臂谐振器,该压电层包括铌酸锂或钽酸锂,串联臂谐振器和并联臂谐振器各自包括在所述压电层上的至少一对第一电极和第二电极。该声波器件使用处于第一厚度剪切模式的体波。串联臂谐振器中的压电层的第一部分的膜厚度不同于并联臂谐振器中的压电层的第二部分的膜厚度。在串联臂谐振器和并联臂谐振器中的每一个中,假设压电层的膜厚度为d并且彼此相邻的第一电极和第二电极的中心之间的距离为p,则比率d/p小于或等于约0.5。
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