-
公开(公告)号：CN117321913A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035105.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波器件包括压电层以及第一谐振器和第二谐振器。第一谐振器包括位于压电层上的第一功能电极和第一介电膜。第二谐振器包括位于压电层上的第二功能电极和第二介电膜。第一谐振器和第二谐振器使用厚度谐振模式。压电层包括分别包括第一谐振器和第二谐振器的部分的第一谐振器部分和第二谐振器部分。第一谐振器的谐振频率低于第二谐振器的谐振频率，并且第一谐振器部分的厚度大于第二谐振器部分的厚度，并且满足ts1/tp1≤ts2/tp2，其中，tp1、tp2、ts1和ts2分别为第一谐振器部分和第二谐振器部分以及第一介电膜和第二介电膜的厚度。
Search Results
1
records
(took 0.019 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
