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公开(公告)号:CN119154824A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202410759335.5
申请日:2024-06-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供振动器件,具有Q值高的振动元件。振动器件包含:基座;以及振动元件,其具有振动部和薄壁部,在俯视观察时,在比振动部的外形靠内侧的位置形成有激励电极,振动元件包含第一边和与第一边相反侧的第二边,在俯视观察时,在第一边与振动部之间借助于金属凸块与基座接合,振动部包含位于第一边侧的第三边和位于第二边侧的第四边,激励电极包含沿着第三边的第五边和沿着第四边的第六边,在设第三边与第四边之间的距离为L1、第三边与第五边之间的距离为D1、第四边与第六边之间的距离为D2时,满足0.03≤D1/L1≤0.07和0.03≤D2/L1≤0.07中的至少一者。
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公开(公告)号:CN105281700B
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN201510404180.4
申请日:2015-07-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体,所述振动元件能够降低共振频率附近的不必要寄生振荡的产生,所述振子具有该振动元件。振动元件1包含:基板,其包含彼此处于正背关系的第1主面和第2主面;第1激励电极,其设置于第1主面;第2激励电极,其设置于第2主面;以及第1引出电极,其设置于第1主面,与第1激励电极连接,第1引出电极包含:第1电极部;以及第2电极部,其从第1电极部沿第1方向延伸,与第1激励电极连接,第2电极部的与第1方向交叉的第2方向的宽度比第1电极部窄,在将第1激励电极的面积设为S1,将第2电极部与第2激励电极重叠部分的面积设为S2时,满足(S2/S1)≤0.1。
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公开(公告)号:CN119182363A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202410798313.X
申请日:2024-06-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 振动器件。抑制与盖体的接触。振动器件具有:底座基板,其具有处于正反关系的第1面和第2面;振动元件,其搭载于底座基板的第1面侧;以及盖体,其具有在底座基板侧开口的凹部,在凹部内收纳有振动元件的状态下与第1面侧接合,盖体具有底部和从底部的外缘部朝向底座基板侧竖立设置的框状的侧壁部,侧壁部的内周面具有第1倾斜部,第1倾斜部以随着从底部侧朝向底座基板侧远离穿过盖体的中心的第1假想中心线的方式倾斜,振动元件在俯视时具有:与第1倾斜部对置的第1边、沿着与第1边交叉的方向的第2边、位于第1边与第2边之间的第1角部、位于第2边的相反侧的第3边以及位于第1边与第3边之间的第2角部,第1角部和第2角部分别被切除。
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公开(公告)号:CN115314020A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202210990778.6
申请日:2016-09-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山本雄介
IPC: H03H9/19 , H01L41/047 , H03H3/02 , H03H9/10 , H03H9/13
Abstract: 压电振动片、压电振子、电子设备以及移动体,压电振动片包含:压电基板,其包含振动部;第1激励电极,其包含第1基底电极层和第1上电极层,其中,所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面,所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上;以及第2激励电极,其包含第2基底电极层和第2上电极层,其中,所述第2基底电极层被配置于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面,所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上,所述第2上电极层的厚度(tA2)与所述振动部的厚度(T1)之比(tA2/T1)为1.4%以上且小于1.9%。
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公开(公告)号:CN107040230B
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN201610862564.5
申请日:2016-09-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山本雄介
Abstract: 压电振动片、压电振子、电子设备以及移动体,压电振动片包含第1激励电极、第2激励电极以及包含振动部和固定部的压电基板,该第1激励电极包含:第1基底电极层,其被配置于所述振动部的第1面;以及所述第1基底电极层上的第1上电极层,该第2激励电极包含:第2基底电极层,其被配置于所述振动部的与所述第1面相对的第2面;以及第2上电极层,其被配置于所述第2基底电极层上,所述第2上电极层的厚度(tA2)与所述振动部的厚度(T1)之比(tA2/T1)为1.4%以上2.4%以下。
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公开(公告)号:CN119341492A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202410972170.X
申请日:2024-07-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 振动器件,抑制电特性劣化。振动器件(1)包含:振动元件(25);与振动元件(25)连接的基座(10);和与基座(10)接合的盖体(20),在与基座(10)之间的收纳空间(23)收纳振动元件(25),基座(10)和盖体(20)中的至少一方包含与接地电位连接的P型或N型的导电型的第一半导体基板(11),振动元件(25)具有振动基板(30)、配置在振动基板(30)的第一半导体基板(11)侧的第一电极(31a)及配置在振动基板(30)的与第一半导体基板(11)侧相反的一侧的第二电极(31b),在设收纳空间(23)的高度为L1[m]、第一半导体基板(11)与第一电极(31a)之间的长度为d1[m]、第一电极(31a)的面积为S1[m2]、收纳空间(23)的介电常数为ε[F/m]时,满足L1≤0.2×10‑3和d1≥ε×S1×1012。
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公开(公告)号:CN107040230A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201610862564.5
申请日:2016-09-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山本雄介
CPC classification number: H03H9/19 , H01L41/0477 , H03H9/02023 , H03H9/1021 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/10
Abstract: 压电振动片、压电振子、电子设备以及移动体,压电振动片包含第1激励电极、第2激励电极以及包含振动部和固定部的压电基板,该第1激励电极包含:第1基底电极层,其被配置于所述振动部的第1面;以及所述第1基底电极层上的第1上电极层,该第2激励电极包含:第2基底电极层,其被配置于所述振动部的与所述第1面相对的第2面;以及第2上电极层,其被配置于所述第2基底电极层上,所述第2上电极层的厚度(tA2)与所述振动部的厚度(T1)之比(tA2/T1)为1.4%以上2.4%以下。
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公开(公告)号:CN104518749A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410514098.2
申请日:2014-09-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山本雄介
CPC classification number: H03H9/171 , H03H9/0542 , H03H9/1021
Abstract: 振动元件、振子、电子器件、电子设备以及移动体。抑制了寄生振动的影响、振动特性良好。振动元件包含以厚度剪切振动的方式进行振动的基板(10);第1激励电极(25a),其设置在基板(10)的一个主面上,具有切除假想四边形(25f)的至少三个角后的形状;第2激励电极(25b),其设置在基板(10)的另一个主面上,假想四边形(25f)的面积(S1)与第1激励电极(25a)的面积(S2)之比(S2/S1)满足69.2%≤(S2/S1)≤80.1%的关系。
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公开(公告)号:CN119154823A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202410758662.9
申请日:2024-06-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供振动器件,具有Q值高的振动元件。振动器件具有:基座;以及振动元件,其包含振动部、厚度比振动部薄的薄壁部以及经由薄壁部与振动部连接的支承部,该振动元件在支承部处借助于金属凸块与基座接合,在设振动部的厚度为t1、从薄壁部的表面到振动部的表面为止的长度为h1时,满足0.01≤h1/t1≤0.156。
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公开(公告)号:CN105281700A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510404180.4
申请日:2015-07-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体,所述振动元件能够降低共振频率附近的不必要寄生振荡的产生,所述振子具有该振动元件。振动元件1包含:基板,其包含彼此处于正背关系的第1主面和第2主面;第1激励电极,其设置于第1主面;第2激励电极,其设置于第2主面;以及第1引出电极,其设置于第1主面,与第1激励电极连接,第1引出电极包含:第1电极部;以及第2电极部,其从第1电极部沿第1方向延伸,与第1激励电极连接,第2电极部的与第1方向交叉的第2方向的宽度比第1电极部窄,在将第1激励电极的面积设为S1,将第2电极部与第2激励电极重叠部分的面积设为S2时,满足(S2/S1)≤0.1。
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