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公开(公告)号：CN119533751A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411710150.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/08 , H10N30/30 , H10N30/85 , H10N30/082 , H10N30/081 , H10N30/06 , H10N30/80 , H10N30/87
Abstract: 本发明公开了一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用，属于传感仪器构建技术领域。本发明以In2Se3/InSe垂直异质结薄膜作为气压敏感层制备了压电型气压传感器，气压带来的应力变化将改变In2Se3/InSe垂直异质结的能带结构，从而产生压电电压。这一变化可以通过电荷放大器检测其电压变化来进行监测，从而实现对微小气压变化的高灵敏度响应。本发明的压电型气压传感器体积小、灵敏度高，为高精度气压检测提供了一种简单、灵敏且稳定的设备及检测方法。
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公开(公告)号：CN119497562A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411511583.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海新硅聚合半导体有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/88 , H10N30/80 , H10N30/06 , H10N30/072
Abstract: 本申请公开了一种压电异质结构、制备方法及半导体器件，包括衬底层、介质层、图形化电极层和压电功能层，介质层位于衬底层和压电功能层之间，图形化电极层位于介质层内，且图形化电极层的一侧暴露于介质层并与压电功能层电性连接；压电功能层具有相互背离的第一面和第二面，第一面为剥离面，剥离面位于压电功能层背离衬底层的一侧。本申请有利于降低图形化电极层与压电功能层间的应力，防止压电功能层发生解键合情况，提升压电异质结构的形貌精准性、可靠性、稳定性和耐久性；且应用于半导体器件中，能够使得在具有相同面内传播角度的情况下，机电耦合系数、散杂响应和工作频率等性能得到提升，满足多种半导体器件的性能需求。
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公开(公告)号：CN119403138A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411991474.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片，涉及半导体技术领域，旨在降低工艺难度。该半导体结构的制备方法包括：采用溅射工艺，在衬底上形成第一电极；在第一电极远离衬底的一侧形成电介质层；在电介质层远离衬底的一侧形成第二电极；其中，在形成第一电极的过程中，对衬底进行加热，并对衬底施加直流偏置电压或射频偏置功率；衬底的加热温度范围为50℃~400℃，直流偏置电压在‑500V~+150V的范围内变化或射频偏置功率在50w~400w的范围内变化。上述半导体结构可应用于存储器芯片或传感器芯片中，存储器芯片可以为非易失性存储器，传感器芯片可以为微机电系统压力传感器。
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公开(公告)号：CN119255693A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411253434.2
申请日：2024-09-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种多层压电复合材料感驱一体电极焊盘制作方法，属于传感器技术领域。它包括绝缘封装层，绝缘封装层内具有由下到上依次设置的第一驱动功能层组、感应功能层组、第二驱动功能层组和第三驱动功能层组；第一至第三驱动功能层组均包括由下到上依次设置的第一柔性绝缘层、第一导电层、第一压电复合材料层、第二导电层和第二柔性绝缘层；第一至第三驱动功能层中，所有第一焊盘中心孔均同轴心设置，并通过导电浆料填充烧结连接形成总驱动端子负极焊盘；所有第二焊盘中心孔均同轴设置，并通过导电浆料填充烧结连接形成总驱动端子正极焊盘。在多层焊盘竖向上叠加互联引出的同时，也实现器件结构一体化封装。
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公开(公告)号：CN118882727A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410930007.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 西安石油大学
IPC: G01D21/02 , H10N30/30 , H10N30/85 , H10N30/857 , H10N30/853 , H10N30/88 , B82Y15/00 , H10N30/02 , H10N30/076 , H10N30/081 , H10N30/092 , H10N30/06 , H10N30/87
Abstract: 本发明公开了一种隧道结结构的双功能传感器及其制备方法，属于多功能传感器技术领域。该方法以PDMS/Au作为顶部和底部电极，采用磁控溅射技术和水热法构建图案化ZnO NRs阵列作为冷阴极，在PVDF中掺杂GO复合材料对ZnO NRs进行封装，该封装结构同时可作为温度传感器。同时利用砂纸构造微结构弹性薄膜PDMS作为均匀的压力感应层，微结构的设计能够使整个压力感应层感知到更小的压力，提高压力测试范围。最后采用顶部电极‑PDMS压力感应层‑传感层‑底部电极的结构通过PI胶带进行整体封装构成传感器；该传感器同时具备压力传感器和温度传感器的两个作用，为性能较优的双功能传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111504443B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010527260.X
申请日：2020-06-11
Applicant: 吉林大学
IPC: G01H11/08 , H10N30/30 , H10N30/87 , H10N30/853 , H10N30/06
Abstract: 一种基于增材制造技术的三向振动测试传感器及制备方法属于检测技术领域，本发明的基于增材制造技术的三向振动测试传感器的振动测试组件中圆柱体的中心孔与底座的中心杆固接，传感器外壳下端固接于底座中中盘上面；信息管理模块中振动信号采集卡的数据输入端与振动测试组件中各感应组件的数据传输接口通信连接，利用导振液体作为振动传导介质，采用增材制造技术制作压电层和封装体。本发明可以连续的进行振动波传导，压电层具有较高的电导率和灵敏度，优化和提升了采集到的振动信号的质量及数量，制作工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN118613609A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380016264.3
申请日：2023-01-26
Applicant: 盖亚尼克斯股份有限公司
Inventor： 木岛健
IPC: C30B29/16 , C30B23/02 , H01L21/314 , H01L21/316 , H10N30/06 , H10N30/076 , H10N30/079 , H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供包含具有良好的密合性和结晶性的外延膜的层叠结构体、电子器件、电子设备以及能够在工业上有利地得到它们的制造方法。在晶体基板上至少隔着化合物膜层叠外延层的层叠结构体的制造方法中，上述的层叠通过以下步骤进行：在上述晶体基板上设置包含化合物元素的化合物元素供给牺牲层的步骤、以及使用上述化合物元素供给牺牲层的化合物元素形成上述外延层的步骤。
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公开(公告)号：CN118603291A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410639139.4
申请日：2024-05-22
Applicant: 中北大学
IPC: G01H11/08 , H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/87 , H10N30/06 , H10N30/072 , H10N30/082 , H01L23/544 , H01L21/67 , B81B7/02 , B81C3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及基于悬臂梁的复合型压电振动传感器及其制备方法。该基于悬臂梁的复合型压电振动传感器，基于悬臂梁的复合型压电振动传感器，所述传感器包括键合片，所述键合片经过MEMS工艺形成边框、质量块与悬臂梁，所述键合片为于Si基片双面生长SiO2薄膜后与LiNbO3晶片键合构成；所述悬臂梁包括两组单悬臂梁与两组双悬臂梁，两组单悬臂梁与两组双悬臂梁分别设置于质量块的不同边上，且两组单悬臂梁对称设置，两组所述双悬臂梁同样对称设置；所述质量块、单悬臂梁及双悬臂梁上相应位置设置有电极；所述单悬臂梁轴线的位置在质量块边长的中点处；该基于悬臂梁的复合型压电振动传感器，能够很好的完成宽频带、强信号输出的元器件的制备。
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公开(公告)号：CN118591252A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410621397.X
申请日：2024-05-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一体化集成的压电式多向弯曲传感器及制造方法，包括压电材料薄膜，在压电材料薄膜的两侧形成双面的结构化微沟道，在结构化微沟道中填充电极材料形成嵌入式电极，双面有嵌入式电极的压电材料薄膜结构外面设有封装层，形成了一体化的传感器；由于一体化的传感器不存在大面积的分层界面，且电极材料被完全包裹，从而极大地增强了传感器的界面强度，因此传感器具有极高的稳定性；同时，嵌入式电极具有三维形态，形成的空间极化电场可以显著改善器件的内部极化效果，因此传感器具有高压电响应和高各向异性。
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