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公开(公告)号：CN118541008A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410624847.0
申请日：2024-05-20
申请人： 中北大学
摘要： 本发明涉及一种压电式压力传感器及其制备方法。该压电式压力传感器，所述传感器包括PCB板，所述PCB板的表面设置有硅基铌酸锂组件，所述硅基铌酸锂组件包括设置于PCB板表面的硅基片，所述硅基片与铌酸锂单晶表面旋涂聚酰亚胺胶后键合，所述硅基铌酸锂组件的表面连接有金属电极，所述金属电极与所述PCB板的铜电极通过导电银浆连接；该压电式压力传感器，首次尝试利用硅基铌酸锂进行压电式压力传感器的制备，显著提高了器件的输出性能并表明了铌酸锂与硅基器件集成的可能性。
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公开(公告)号：CN118337164B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410733750.3
申请日：2024-06-07
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种滤波器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。本发明提供包括衬底、第一填充层与滤波结构的第一器件，在第一器件上表面沉积第二填充层，在所得第二器件上刻蚀形成凹槽，在所得第三器件上表面沉积支撑层，在所得第四器件上刻蚀形成释放通道得到第五器件，通过所述释放通道去除所述第五器件中相应的第一填充层与第二填充层，形成空腔，得到所述滤波器。本发明提供的方法制备滤波器时通过沉积工艺形成空腔，无需采用键合工艺，制备成本较低且工艺容易监控。
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公开(公告)号：CN118337164A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410733750.3
申请日：2024-06-07
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种滤波器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。本发明提供包括衬底、第一填充层与滤波结构的第一器件，在第一器件上表面沉积第二填充层，在所得第二器件上刻蚀形成凹槽，在所得第三器件上表面沉积支撑层，在所得第四器件上刻蚀形成释放通道得到第五器件，通过所述释放通道去除所述第五器件中相应的第一填充层与第二填充层，形成空腔，得到所述滤波器。本发明提供的方法制备滤波器时通过沉积工艺形成空腔，无需采用键合工艺，制备成本较低且工艺容易监控。
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公开(公告)号：CN111864052B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910991297.5
申请日：2019-10-18
申请人： 辽宁省交通高等专科学校
摘要： 一种压电式力传感器晶组成型装置及其封装方法，包括上盖和下盖，上盖和下盖为一端开口，一端封闭的结构，在封闭端中部为四个圆柱形凸起在封闭端中部为不少于三个圆柱形凸起，用于定位平面，围绕圆柱形凸起四周对应设置有定位孔，可与定位销紧密配合，用于承载晶片或电极。与现有技术相比，本发明的有益效果：采用定位销和定位孔的，可以进行机器自动装配，避免装配过程中出现误差，一致性好，避免加工过程中的微损伤对晶片的力学性能产生影响，提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN109148680B
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN201811119764.7
申请日：2018-09-26
申请人： 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
IPC分类号： H10N30/02 , H10N30/03 , H10N30/072
摘要： 环氧树脂封装陶瓷基板翘曲度辅修工艺方法及辅修夹具，涉及到芯片级封装（CSP）工艺技术领域。解决传统的通过简单物理方法降低翘曲度效果并不明显的技术不足，将所述的中空封装体置于辅修夹具中高温固化；辅修夹具由支撑板和置于支撑板上层的上盖板构成，上盖板为黄铜板，支撑板上设有与所述的中空封装体吻合的定位凹槽，将所述的中空封装体置于定位凹槽中盖合上盖板进行翘曲度的校正状态下高温固化。使用低传热系数的铜质材料，可降低此过程的散热速率。
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公开(公告)号：CN118019435A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410025903.9
申请日：2024-01-08
申请人： 中南大学
IPC分类号： H10N30/853 , H10N30/88 , H10N30/30 , H10N30/097 , H10N30/088 , H10N30/02 , H10N30/03 , H02N2/18
摘要： 本发明公开了一种无铅压电陶瓷发电器件及其制备和应用，该无铅压电陶瓷发电器件包括上层导电膜、压电陶瓷阵列夹层和下层导电膜；所述的压电陶瓷阵列夹层包括若干按阵列排列的压电陶瓷柱，以及分散在各压电陶瓷柱之间的有机聚合物；所述的压电陶瓷柱为无铅致密压电陶瓷；各相邻压电陶瓷柱的间距为1mm。本发明对所述的材料的制备和应用进行了阐述。本发明中，通过控制所述的无铅压电陶瓷柱的形状和纵横比，能够改善器件的压电输出性能，提高压电复合材料的强度。
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公开(公告)号：CN109065701B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201810911188.3
申请日：2018-08-10
申请人： 浙江熔城半导体有限公司
发明人： 付伟
摘要： 本发明揭示了一种带有单围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面具有若干电极；围堰，与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰位于若干通孔的内侧，互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，金属柱结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚，焊锡用于导通金属柱结构及电镀层结构。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109244230B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811329748.0
申请日：2018-11-09
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
IPC分类号： H10N30/88 , H10N30/02 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其所述金属柱上下贯穿包封料层；所述包封料层的上表面设置多层再布线层，并与金属柱连接，并在多层再布线层的上表面设置若干个金属连接块；所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层再布线层多点倒装固连，所述多层再布线层与金属柱连接将声表面波滤波器芯片的电信号向下传导；包封膜包封在多层再布线层的上方、声表面波滤波器芯片的下方形成空腔，芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。
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公开(公告)号：CN109244231B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201811331085.6
申请日：2018-11-09
申请人： 江阴长电先进封装有限公司
IPC分类号： H10N30/88 , H10N30/02 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括正面设有芯片功能区的声表面波滤波器芯片、金属连接块、多层再布线层、金属块Ⅰ、金属挡环和包封层，所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围，所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层再布线层多点倒装连接，将声表面波滤波器芯片的电信号向下传导；所述金属挡环设置在金属连接块和金属块Ⅰ的外围的多层再布线层的上表面，呈围墙状，所述包封层在多层再布线层的上方、声表面波滤波器芯片的下方、金属挡环的内侧形成空腔，将所述芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。
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