表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片

    公开(公告)号:CN101777615A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010018325.4

    申请日:2010-01-13

    Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片,采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法,在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法,包括以下步骤:a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜;b.置于电化学池内的酸溶液中加电压,用电化学方法实现阳极氧化,使铝膜成为多孔氧化铝;c.继续加电压至60~200V,用电化学方法腐蚀GaN基片表面,在GaN层表面形成多孔结构;d.去掉表面的氧化物,得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构,使GaN-空气界面的光传播随机化,最大程度减少了界面全反射,极大地提高了光引出效率。

    表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片

    公开(公告)号:CN101777615B

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201010018325.4

    申请日:2010-01-13

    Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片,采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法,在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法,包括以下步骤:a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜;b.置于电化学池内的酸溶液中加电压,用电化学方法实现阳极氧化,使铝膜成为多孔氧化铝;c.继续加电压至60~200V,用电化学方法腐蚀GaN基片表面,在GaN层表面形成多孔结构;d.去掉表面的氧化物,得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构,使GaN-空气界面的光传播随机化,最大程度减少了界面全反射,极大地提高了光引出效率。

    一种非EUV技术的亚纳米节点晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN119894021A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510072761.6

    申请日:2025-01-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种非EUV技术的亚纳米节点晶体管的制备方法,通过将晶体管的源电极、漏电极、电极隔绝层分三步制作,使源、漏电极间距由隔绝层厚度来决定,实现1至10纳米超短沟道长度的晶体管。本发明针对EUV光刻方案单次精度低、设备昂贵等问题,利用半导体与电极之间的表面亲水性差异,实现介质在电极侧壁的侧向ALD生长,作为电极隔绝层,通过介质生长厚度来控制晶体管的沟道长度;由于ALD方法对介质厚度的控制优势,单次工艺精度为1纳米,远优于现有EUV光刻设备的单次工艺精度,大大简化微电子制造工艺流程,提高器件良率。

    一种基于FPGA的迭代最近点算法的加速方法

    公开(公告)号:CN119850434A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411958580.5

    申请日:2024-12-30

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的迭代最近点算法的加速方法,将三维空间进行体素化,体素化完毕后,对目标点云采用膨胀策略使得迭代最近点算法中的最近邻搜索从全局搜索转换为局部搜索,并且使用多个计算单元同时计算多个源点的最近邻目标点,充分的利用了FPGA的并行性,进而提升最近邻搜索的速度,实现加速迭代最近点算法的效果。另外,本发明在膨胀策略的基础上,利用事先遍历的方法对内存进行分配,大大减少了内存的使用,使得本方法只使用片上内存就可以完成点云配准,进而完成算法的低功耗实现。

    一种多输出全波整流的单级可调压整流系统

    公开(公告)号:CN119696394A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411826698.2

    申请日:2024-12-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本申请提供一种多输出全波整流的单级可调压整流系统,包括:整流器和控制模块;整流器包括:电连接的产生模块、空转开关组件、第一晶体管组件、第二晶体管组件、负载、第三晶体管组件;产生模块用于产生交流输入电压;第一晶体管组件、第二晶体管组件被配置为:基于交流输入电压,生成直流输出电压;负载被配置为:获取直流输出电压;控制模块被配置为:若直流输出电压不位于目标电压区间内,则根据直流输出电压、直流输出电压参考电平,控制空转开关组件、第一晶体管组件、第二晶体管组件、第三晶体管组件开启或关闭,使直流输出电压位于目标电压区间内,以实现多输出整流电路中可同时调节多个输出端口的输出电压值。

    一种基于喷涂非金属电极的柔性电致动器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114497346B

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202210097325.0

    申请日:2022-01-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于喷涂非金属电极的柔性电致动器及其制备方法;所述离子聚合物中间层由TPU胶粒在DMF溶液中溶解并与离子液体以一定比例混合均匀后,滴于特定玻璃容器表面经特定温度程序烘干制成;离子聚合物中间层的上表面、下表面均通过超声喷涂工艺覆盖一层非金属电极层;非金属电极层前驱体溶液由非金属导电高分子材料、碳纳米管、二甲基亚砜、乙醇和离子液体按一定比例均匀混合而成,电极层前驱体溶液通过超声喷涂工艺附着到离子聚合物中间层上下两面,喷涂过程有热台持续加热。本发明不但可以低成本便捷进行大规模制备以及自定义图案化,而且器件的致动速度也会有较好的保证。

    一种能够捕捉社交触摸时空特征的电子皮肤系统

    公开(公告)号:CN118181313A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410376741.3

    申请日:2024-03-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开一种能够捕捉社交触摸时空特征的电子皮肤系统,属于电子皮肤技术领域,该电子皮肤系统包括电子皮肤,电子皮肤包括从上到下设置的顶部基底层、顶部矩阵电极层、离子凝胶功能层、介电层、底部矩阵电极层和底部基底层,顶部矩阵电极层和底部矩阵电极层分别包括多个电极片,离子凝胶功能层包括基部以及设置在基部上的多个微结构部,微结构部位置与电极片位置对应,微结构部包括多个功能柱,功能柱从顶端到底端的横截面面积逐渐增大。本发明提高电子皮肤灵敏度并且检测极限更低,对压力响应好;高频电路提高了对触觉手势时间维度信息采集的分辨率;深度学习算法从原始触觉数据中解析出社交触摸手势,社交手势识别准确率高。

    一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜

    公开(公告)号:CN113013022B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202110197000.5

    申请日:2021-02-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜。本发明首先采用旋涂法在衬底表面涂覆一层光刻胶,并接着利用紫外光刻对该光刻胶层进行图形化,然后用氧等离子体处理样品表面,使表层光刻胶中的酚醛树脂发生交联而硬化,形成一层仅有4至5纳米厚的硬化光刻胶薄膜,之后将样品浸泡在丙酮剥离溶剂中,未被硬化的光刻胶被溶剂溶解,而硬化光刻胶薄膜由于不溶于丙酮等有机溶剂则留在衬底上。为使硬化光刻胶薄膜继承光刻胶的图案,采用原位转移方法:将从剥离溶剂中取出的样品静置在工作台上,待溶剂完全自然挥发之后再用丙酮/异丙醇等有机溶剂对样品进行清洗即可。本发明的超薄硬化光刻胶薄膜具有可图形化、可重复堆叠、高均匀平整度等优点。

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