-
公开(公告)号：CN116322065A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310288477.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种集成神经形态以及可重构逻辑存算功能的人工神经元晶体管及其制备方法，顺序地在亲水处理后的Si衬底上生长电解质层、超薄铁电层、聚合物介电层和有机半导体层，然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到电解质层上作为栅极，同时转移有机半导体层上作为源极和漏极，完成人工神经元晶体管的制备。本发明的人工神经元晶体管利用铁电偶极子与电解质离子的界面耦合以及多平面栅的器件结构，可以完成多种神经形态的计算并适用于人工神经网络的搭建以实现目标的识别，同时在多栅极的有效调控下能够在单一器件中完成与逻辑和或逻辑的运算以及数据的存储，可以用于构建集存算于一体的可重构硬件系统。
-
公开(公告)号：CN108647191B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201810473308.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 南京大学
IPC: G06F40/117 , G06F40/242 , G06F40/289 , G06F16/33 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出一种基于有监督情感文本和词向量的情感词典构建方法，包括数据处理阶段、词向量情感嵌入阶段、情感词典生成阶段共三个阶段。本方法使用神经网络生成词向量，将情感嵌入到词向量内部，挖掘词与词之间的内在联系，然后构建词关系图，使用标签传播算法传播情感标签，自动构建特定领域的情感词典。通过本发明解决了基于人工和基于知识库的方法所构造的情感词典在处理特定领域的情感分析任务时不准确的问题。
-
公开(公告)号：CN107275483A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710274211.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0003 , H01L51/0074 , H01L51/052
Abstract: 一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，以重参杂的p型硅为衬底，生长50-250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20-50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一层铁电聚合物材料即聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)，在P(VDF-TrFE)上利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法分别生长一层超薄的厚度2-10nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和厚度5-10nm的二辛基苯并噻吩苯并噻吩半导体层(C8-BTBT)，其中钝化层PMMA在二维半导体层C8-BTBT下面，在半导体层上蒸镀金作为源极和漏极，制备成底栅顶接触结构的二维有机分子半导体铁电晶体管存储器。
-
公开(公告)号：CN105977258B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610309711.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/11507 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/443
Abstract: 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。
-
公开(公告)号：CN108447990A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810155377.2
申请日：2018-02-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了基于单层分子半导体薄膜提升有机场效应晶体管器件性能的方法，先利用反溶剂辅助旋涂法在SiO2/Si衬底上进行高结晶性有机单层分子薄膜的旋涂制备，旋涂的材料为：有机半导体材料（p型）为C8-BTBT 2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩，溶于苯甲醚和甲氧基苯甲醚与反溶剂DMF混合溶液中，C8-BTBT浓度为0.25～1wt%，反溶剂为DMF二甲基甲酰胺，反溶剂DMF与C8-BTBT溶液的体积相同（如60µL）；旋涂完成后即可得到大尺寸均一的单层薄膜；用该单层薄膜作为衬底，进行有机场效应晶体管器件的生长。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807669A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010134970.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及有机存储器，基于自组装材料，具有非挥发存储效应。所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层，所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层，所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触。作为优选方案，所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子数为3-12，更优选为6-12，最优选为辛烷基三氯硅烷。由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷，能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控，从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变，最终得到具有电学存储效应的器件。
-
公开(公告)号：CN119894213A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411989354.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具备学习速率调度功能的垂直神经元晶体管及其制备方法，器件包括由下而上依次设置的Si衬底、SiO2层、作为肖特基栅的TiN层、绝缘层、作为铁电栅的TiN栅极层、铁电层。铁电层、绝缘层、作为肖特基栅的TiN层共同一侧以及SiO2层的部分厚度的侧面共同形成垂直侧壁结构。SiO2层上表面和铁电层上表面分别设有源极和漏极，源极、漏极以及垂直侧壁结构的表面设有连续的有机半导体层。其中，铁电层中具有可产生稳定极化的偶极子。本发明器件利用铁电极化效应和肖特基栅极的耦合调制以及多垂直栅的器件结构，能够完成高线性度和对称性的可调斜率电导更新行为，可用于构建集成学习速率调度功能的神经形态硬件系统。
-
公开(公告)号：CN116415533A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310130592.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/333
Abstract: 本发明公开了一种片上处理器的可测试性设计方法，包括：根据芯片的结构划分出不同的内核，获取不同内核的关键特征，为其设定插入扫描链的数量和测试控制器的类型；对核中扫描链进行基于时序性压缩架构的解压缩和压缩，使扫描链在实际各核的测试中数量增加，长度减小，从而获得更短的测试时间；对SoC层插入数据选择电路将各个内核连接起来通过顶层控制器进行控制，继而可以控制在不同的状态下测试不同的内核，提升测试效率；最后，对SoC层插入边界扫描链，测试芯片的信号输入输出能力。本发明通过对芯片进行内核划分，压缩内核中扫描链数量，并通过数据选择器和控制器控制不同内核分别测试，在现有技术下使得芯片测试的时间大大缩短。
-
公开(公告)号：CN116347963A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310168711.9
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括衬底、绝缘层、金属层和有机半导体薄膜；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体薄膜材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制备方法包括如下步骤：在衬底上生长绝缘层；在绝缘层表面制备金属层；配制溶液；调节生长参数，生长二维有机半导体单晶薄膜。本发明通过选取合适的衬底和生长条件，直接在金属衬底上实现了二维有机半导体单晶薄膜的高质量、大规模、可控生长，薄膜单晶面积达到了毫米级别，为简化器件结构及制备工艺提供了可能的途径。
-
公开(公告)号：CN110047996B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910335663.1
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8‑BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.018 seconds)
