公开(公告)号：CN102169987A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110008256.3

申请日：2011-01-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐子敬 ,  郑明波 ,  邱旦峰 ,  赵斌 ,  施毅

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1391

Abstract: 石墨烯负载多孔氧化镍，NiO原位生长于功能化石墨烯(FGS)上，成纳米结构介孔。介孔氧化镍纳米颗粒尺寸范围为50nm～200nm，内部孔道大小约为2～10nm，NiO/FGS质量比1-5∶1，控制石墨烯表面多孔NiO颗粒负载量。其制备方法是，将Ni(NO)2·6H2O溶于去离子水中，加入功能化石墨烯(FGS)，NiO∶FGS质量比1-5∶1，超声分散均匀；将NaOH溶于去离子水，NaOH溶液的浓度为1-5∶1、单位是mg∶ml，并使NaOH与石墨烯的质量比1-2∶1，加入至上述超声分散后溶液，混合搅拌，所得混合物离心后提取产物，并用去离子水及酒精分别清洗并离心提取。

公开(公告)号：CN101807669A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010134970.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  李昀 ,  邱旦峰 ,  曹立强 ,  潘力嘉 ,  濮林

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及有机存储器，基于自组装材料，具有非挥发存储效应。所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层，所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层，所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触。作为优选方案，所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子数为3-12，更优选为6-12，最优选为辛烷基三氯硅烷。由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷，能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控，从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变，最终得到具有电学存储效应的器件。

公开(公告)号：CN102169987B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110008256.3

申请日：2011-01-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐子敬 ,  郑明波 ,  邱旦峰 ,  赵斌 ,  施毅

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1391

Abstract: 石墨烯负载多孔氧化镍，NiO原位生长于功能化石墨烯(FGS)上，成纳米结构介孔。介孔氧化镍纳米颗粒尺寸范围为50nm～200nm，内部孔道大小约为2～10nm，NiO/FGS质量比1-5∶1，控制石墨烯表面多孔NiO颗粒负载量。其制备方法是，将Ni(NO)2·6H2O溶于去离子水中，加入功能化石墨烯(FGS)，NiO∶FGS质量比1-5∶1，超声分散均匀；将NaOH溶于去离子水，NaOH溶液的浓度为1-5∶1、单位是mg∶ml，并使NaOH与石墨烯的质量比1-2∶1，加入至上述超声分散后溶液，混合搅拌，所得混合物离心后提取产物，并用去离子水及酒精分别清洗并离心提取。