公开(公告)号：CN105977258B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC: H01L27/11507 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

Abstract: 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。

公开(公告)号：CN107275483A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710274211.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  宋磊 ,  王宇 ,  施毅

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/052

Abstract: 一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，以重参杂的p型硅为衬底，生长50-250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20-50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一层铁电聚合物材料即聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)，在P(VDF-TrFE)上利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法分别生长一层超薄的厚度2-10nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和厚度5-10nm的二辛基苯并噻吩苯并噻吩半导体层(C8-BTBT)，其中钝化层PMMA在二维半导体层C8-BTBT下面，在半导体层上蒸镀金作为源极和漏极，制备成底栅顶接触结构的二维有机分子半导体铁电晶体管存储器。

公开(公告)号：CN105977258A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L29/247 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。