公开(公告)号：CN105977258A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L29/247 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。

公开(公告)号：CN105977258B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC: H01L27/11507 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

Abstract: 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。