公开(公告)号：CN116322065A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310288477.3

申请日：2023-03-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  李龙飞 ,  王启晶 ,  施毅

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种集成神经形态以及可重构逻辑存算功能的人工神经元晶体管及其制备方法，顺序地在亲水处理后的Si衬底上生长电解质层、超薄铁电层、聚合物介电层和有机半导体层，然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到电解质层上作为栅极，同时转移有机半导体层上作为源极和漏极，完成人工神经元晶体管的制备。本发明的人工神经元晶体管利用铁电偶极子与电解质离子的界面耦合以及多平面栅的器件结构，可以完成多种神经形态的计算并适用于人工神经网络的搭建以实现目标的识别，同时在多栅极的有效调控下能够在单一器件中完成与逻辑和或逻辑的运算以及数据的存储，可以用于构建集存算于一体的可重构硬件系统。

公开(公告)号：CN108447990B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201810155377.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王启晶

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明公开了基于单层分子半导体薄膜提升有机场效应晶体管器件性能的方法，先利用反溶剂辅助旋涂法在SiO2/Si衬底上进行高结晶性有机单层分子薄膜的旋涂制备，旋涂的材料为：有机半导体材料（p型）为C8‑BTBT 2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩，溶于苯甲醚和甲氧基苯甲醚与反溶剂DMF混合溶液中，C8‑BTBT浓度为0.25～1wt%，反溶剂为DMF二甲基甲酰胺，反溶剂DMF与C8‑BTBT溶液的体积相同（如60µL）；旋涂完成后即可得到大尺寸均一的单层薄膜；用该单层薄膜作为衬底，进行有机场效应晶体管器件的生长。

公开(公告)号：CN108447990A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810155377.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王启晶

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明公开了基于单层分子半导体薄膜提升有机场效应晶体管器件性能的方法，先利用反溶剂辅助旋涂法在SiO2/Si衬底上进行高结晶性有机单层分子薄膜的旋涂制备，旋涂的材料为：有机半导体材料（p型）为C8-BTBT 2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩，溶于苯甲醚和甲氧基苯甲醚与反溶剂DMF混合溶液中，C8-BTBT浓度为0.25～1wt%，反溶剂为DMF二甲基甲酰胺，反溶剂DMF与C8-BTBT溶液的体积相同（如60µL）；旋涂完成后即可得到大尺寸均一的单层薄膜；用该单层薄膜作为衬底，进行有机场效应晶体管器件的生长。

公开(公告)号：CN119850434A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411958580.5

申请日：2024-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 王启晶 ,  李谦 ,  常穹 ,  李昀 ,  施毅

IPC: G06T5/30 ,  G06T17/00 ,  G06F16/51 ,  G06F9/50

Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的迭代最近点算法的加速方法，将三维空间进行体素化，体素化完毕后，对目标点云采用膨胀策略使得迭代最近点算法中的最近邻搜索从全局搜索转换为局部搜索，并且使用多个计算单元同时计算多个源点的最近邻目标点，充分的利用了FPGA的并行性，进而提升最近邻搜索的速度，实现加速迭代最近点算法的效果。另外，本发明在膨胀策略的基础上，利用事先遍历的方法对内存进行分配，大大减少了内存的使用，使得本方法只使用片上内存就可以完成点云配准，进而完成算法的低功耗实现。

公开(公告)号：CN110047996B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910335663.1

申请日：2019-04-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  裴梦皎 ,  钱君 ,  王启晶 ,  施毅

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8‑BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。

公开(公告)号：CN110047996A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910335663.1

申请日：2019-04-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  裴梦皎 ,  钱君 ,  王启晶 ,  施毅

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8-BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。