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公开(公告)号：CN119894213A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411989354.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具备学习速率调度功能的垂直神经元晶体管及其制备方法，器件包括由下而上依次设置的Si衬底、SiO2层、作为肖特基栅的TiN层、绝缘层、作为铁电栅的TiN栅极层、铁电层。铁电层、绝缘层、作为肖特基栅的TiN层共同一侧以及SiO2层的部分厚度的侧面共同形成垂直侧壁结构。SiO2层上表面和铁电层上表面分别设有源极和漏极，源极、漏极以及垂直侧壁结构的表面设有连续的有机半导体层。其中，铁电层中具有可产生稳定极化的偶极子。本发明器件利用铁电极化效应和肖特基栅极的耦合调制以及多垂直栅的器件结构，能够完成高线性度和对称性的可调斜率电导更新行为，可用于构建集成学习速率调度功能的神经形态硬件系统。
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公开(公告)号：CN110047996B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910335663.1
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8‑BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。
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公开(公告)号：CN110047996A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910335663.1
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8-BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。
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