- 专利标题： 储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法
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申请号： CN202410879361.1申请日： 2024-07-02
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公开(公告)号： CN118851748A公开(公告)日： 2024-10-29
- 发明人: 王长安 , 苗向洛 , 庞利娟 , 刘宁炀 , 张振辉 , 张世邦 , 李祈昕 , 曾昭烩 , 陈志涛
- 申请人： 广东省科学院半导体研究所
- 申请人地址： 广东省广州市天河区长兴路363号
- 专利权人： 广东省科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 广东省科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区长兴路363号
- 代理机构： 北京商专永信知识产权代理事务所
- 代理商 陈莉娥
- 主分类号： C04B35/475
- IPC分类号： C04B35/475 ; H01G4/12 ; H01G4/005 ; C04B35/622 ; C04B35/64
摘要：
本发明公开一种储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法，其中，储能陶瓷材料的通式为(1‑y)(Bi0.5Na0.5)(1‑x)AxDE3‑yG；其中，D为Ti元素，E为O元素；ADE3为能够提高Bi0.5Na0.5TiO3的稳定性的改性剂通式，以得到具有准同型相界的(Bi0.5Na0.5)(1‑x)AxDE3；G为能够在所述准同型相界处引入的弛豫剂通式；x的取值范围为0.06≤x≤0.25，y的取值范围为0＜y≤0.18。由于Bi0.5Na0.5TiO3经过改性剂的改性后结构更加稳定了，并且还具有了准同型相界，使得可以通过在准同型相界中引入弛豫剂来提高材料的性能。
IPC分类:
