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公开(公告)号：CN118695566A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410671500.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明公开了碳/钴/碳化硅陶瓷复合气凝胶吸波材料及其制备方法和应用，属于功能材料技术领域，制备方法为：先制备羟乙基纤维素/聚丙烯腈纤维凝胶（缩写为HEC/PAN），并利用聚合物先驱体的分子可设计性，通过添加含钴的金属化合物进行化学改性制备含钴的单源先驱体，调控其物理和化学性质；再将含钴的单源先驱体与HEC/PAN多级结构复合，制备出碳/钴/碳化硅陶瓷复合气凝胶。本发明制备方法简单，原料便宜易得，制备温度低，制得的材料具有吸波性能优异、孔隙率较高、轻质、比表面积大等特点，可以作为电磁波吸收材料，也可应用于隔热材料或超级电容器等领域。
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公开(公告)号：CN118545994A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410662972.0
申请日：2024-05-27
Applicant: 安徽工程大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种快速烧结技术制备的具有优异介电温度稳定性的无铅环保钛酸铋钠基复合介质储能陶瓷及其制备方法和应用，(100‑x‑y)mol％Na0.5Bi0.5TiO3‑x mol％K0.5Bi0.5TiO3‑y mol％Sr0.25Ca0.25Na0.25Bi0.25Ti0.69Zr0.14Sn0.17O3‑zwt％MeF2，18＜x＜22.9,5.9＜y＜9.5,4.6＜z＜6.7，Me＝Ca，Sr，Ba；原料粉体混合后，球磨、预烧，倒入模具后，经过放电等离子烧结得到陶瓷块体材料，有效储能密度为7.1J/cm3，且其优异的介电温度稳定性满足用于X9R电容器的要求。
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公开(公告)号：CN115974544B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211691620.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 安徽工程大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种In和Ta共掺杂氧化锌复合功能陶瓷、制备方法及其应用，将ZnO、Bi2O3、Sb2O3、Ni2O3、Co3O4、MnO2、Al(NO3)3、TiO2、In2O3、Ta2O5粉末在去离子水中混合，再经过球磨、压制成生坯、加热去除粘结剂，最后烧结得到氧化锌低压压敏陶瓷，这种氧化锌低压压敏陶瓷解决了现有制备低压压敏陶瓷的方法制备方法较难、得到的低压压敏陶瓷性能较差的问题，同时还获得了一定的储能效率，是一种潜在的压敏储能复合功能材料。
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公开(公告)号：CN115093215B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210693084.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Sr+Sb共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用传统的固相反应法制备了(Sr，Sb)共掺杂(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷，其中x＝0、0.5％、1％、1.5％、2％、4％，研究组分对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷微观形貌和介电性能的影响。结果表明，掺杂量对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷的微观结构和性能有显著影响，Sr和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能，在室温下，当x＝2％，频率范围为20Hz‑10MHz时，(Sr，Sb)共掺杂TiO2陶瓷的介电常数大于104，介电损耗小于0.15，而在1kHz时，介电损耗低至0.03，所以本发明有效解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
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公开(公告)号：CN115870663A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211631008.9
申请日：2022-12-19
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及超硬磨料工具技术领域，具体涉及一种稀土Gd掺杂的镍基钎料、制备方法及其钎焊方法，该钎料的组分包括70.0％～85.0％的Ni，5.0％～9.0％的Cr，1.0％～6.0％的B，2.0％～6.0％的Si，1.0％～6.0％的Fe，0％～1.0％的Zn，0.01％～7.0％的Gd，在真空度为1×10‑3～7.5×10‑3Pa下，980℃‑1000℃之间的钎焊温度，通过高频感应加热获得钎焊金刚石，结果表明稀土掺杂的非晶钎料在金刚石表面的润湿性较为良好，金刚石的热损伤较小，另外，稀土掺杂提高钎料对金刚石的把持力，有效地提高钎焊金刚石式样的磨削性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115555761A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211354963.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明公开了稀土Nd掺杂的多元镍基非晶钎料的制备方法及钎焊方法，该钎料的组分包括70.0％～85.0％的Ni，5.0％～9.0％的Cr，1.0％～6.0％的B，2.0％～6.0％的Si，1.0％～6.0％的Fe和0.01％～7.0％的Nd，在真空度为1×10‑3～7.5×10‑3Pa下高频感应加热获得钎焊金刚石，保温时间8min，结果表明稀土Nd掺杂的非晶钎料在金刚石表面的润湿性较为良好，提高了金刚石的出露度，金刚石表面的热蚀坑面积减小，稀土Nd的掺杂提高钎料对金刚石的把持力，有效地提高钎焊金刚石式样的磨削性能。
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公开(公告)号：CN114773053A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210482586.4
申请日：2022-05-05
Applicant: 安徽工业大学 , 安徽工程大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，闪烧法制备了Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。在快速烧结时，试样置于管式炉中，试样两端连接直流电源提供电场，以10℃/min的加热速率加热，当样品温度达到1200℃时，保持5min后施加550V/cm的电场，初始预设电流为1.0A，当施加电场时，电流每3min增加0.1A直到达到限制电流1.5A，然后关闭直流电源，将样品冷却至室温得到这种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。这种制备方法不仅对进一步研究共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料具有重要意义，而且为其他先进功能陶瓷的制备提供了参考。
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公开(公告)号：CN114055012A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111414453.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 安徽工业大学 , 安徽工程大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
Abstract: 本发明涉及超硬磨料工具技术领域，具体涉及一种含有稀土元素的多元铜基合金钎料、制备方法及其钎焊方法，该钎料的成分及重量百分比为：65％～70％的铜(Cu)，15％～20％的锡(Sn)，8％～13％的钛(Ti)，0％～3％的镓(Ga)，0％～5％的稀土(RE)；通过对钎料的微观组织观察、钎料硬度和剪切强度测试结果表明，添加稀土元素有助于提高钎料的致密度和力学性能。此外，使用添加稀土元素的多元铜基合金钎料钎焊金刚石，金刚石的出露度更好，金刚石的热损伤情况较轻，提高了钎焊金刚石工具的使用性能。
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公开(公告)号：CN114055010A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111307103.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 安徽工业大学 , 安徽工程大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
Abstract: 本发明涉及超硬磨料技术领域，具体涉及一种含微量Ge的铜基合金钎料、制备方法及其钎焊方法，所述的合金钎料各组分及其质量百分比分别为64～70％的Cu、17～20％的Sn、7～10％的Ti、1～5％Ga和0～5％的Ge，本发明在Cu基钎料的基础上合理调节合金元素配比，同时添加少量Ge元素，添加适量的Ge，促进Cu‑Sn相均匀形核析出，并使之细小弥散。当Ge含量过多时会产生脆性相，使用该配方在真空电弧炉熔炼得到的合金钎料，具有低价，熔点低，硬度耐磨性高以及剪切强度高等优点。
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公开(公告)号：CN117024137B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202310624691.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 安徽工程大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，且公开了一种具有优异综合储能特性的多元钛酸铋钠基环保型陶瓷，该材料的名义化学式为(100‑x‑y)mol％Na0.5Bi0.5TiO3‑xmol％BaTiO3‑ymol％Sr0.8Ca0.2Ti0.9Al0.05Ta0.05O3‑zmol％La2O3，6.5＜x＜9.5,28＜y＜31,0.5＜z＜1。此外，本发明制备工艺新颖可，且成本相对低廉，对环境友好。获得的陶瓷电容器材料具有优异的储能及充放电特性，并且热稳定性强，具有良好的产业化前景。
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