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公开(公告)号：CN115093215B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210693084.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Sr+Sb共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用传统的固相反应法制备了(Sr，Sb)共掺杂(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷，其中x＝0、0.5％、1％、1.5％、2％、4％，研究组分对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷微观形貌和介电性能的影响。结果表明，掺杂量对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷的微观结构和性能有显著影响，Sr和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能，在室温下，当x＝2％，频率范围为20Hz‑10MHz时，(Sr，Sb)共掺杂TiO2陶瓷的介电常数大于104，介电损耗小于0.15，而在1kHz时，介电损耗低至0.03，所以本发明有效解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
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公开(公告)号：CN115073164A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210666883.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Ca+Sb共掺杂TiO2巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用传统的固相反应法制备了(Ca,Sb)共掺杂TiO2陶瓷(CSTO)，分析了化学元素的晶体结构、微观结构、介电性能、压敏性能和价态，揭示了巨介电材料的形成机理，结果表明，掺杂量对CSTO陶瓷的微观结构和性能有显著影响，Ca和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能，当掺杂量为0.04时，介质损耗很低，在室温下，频率范围为20Hz‑10MHz时，(Ca,Sb)共掺TiO2陶瓷的介电常数大于104，介电损耗小于0.5，而在1kHz时，介电损耗低至0.1，解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
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公开(公告)号：CN114773053A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210482586.4
申请日：2022-05-05
Applicant: 安徽工业大学 , 安徽工程大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，闪烧法制备了Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。在快速烧结时，试样置于管式炉中，试样两端连接直流电源提供电场，以10℃/min的加热速率加热，当样品温度达到1200℃时，保持5min后施加550V/cm的电场，初始预设电流为1.0A，当施加电场时，电流每3min增加0.1A直到达到限制电流1.5A，然后关闭直流电源，将样品冷却至室温得到这种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。这种制备方法不仅对进一步研究共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料具有重要意义，而且为其他先进功能陶瓷的制备提供了参考。
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公开(公告)号：CN115093215A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210693084.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Sr+Sb共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用传统的固相反应法制备了(Sr，Sb)共掺杂(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷，其中x＝0、0.5％、1％、1.5％、2％、4％，研究组分对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷微观形貌和介电性能的影响。结果表明，掺杂量对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷的微观结构和性能有显著影响，Sr和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能，在室温下，当x＝2％，频率范围为20Hz‑10MHz时，(Sr，Sb)共掺杂TiO2陶瓷的介电常数大于104，介电损耗小于0.15，而在1kHz时，介电损耗低至0.03，所以本发明有效解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
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公开(公告)号：CN115124337A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210693087.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种氧化锌压敏陶瓷、制备方法及其应用，将ZnO、Bi2O3、Sb2O3、Ni2O3、Co3O4、MnO2、Al(NO3)3、TiO2粉末在去离子水中混合，用ZrO2介质以200r/min的速度球磨12小时后，在80℃下干燥24h；将得到的干燥粉末与粘合剂混合，然后在310MPa下压制成生坯；将得到的生坯以2℃/min的升温速率加热至600℃，加热2h，去除粘结剂；将得到的去除粘结剂的生坯以5℃/min的升温速率烧结至1200℃～1300℃并保温90min，然后降温至室温得到低压压敏陶瓷，这种氧化锌压敏陶瓷解决了现有的制备低压压敏陶瓷的方法制备方法较难、得到的低压压敏陶瓷性能较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115073164B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210666883.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 安徽工程大学 , 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Ca+Sb共掺杂TiO2巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用传统的固相反应法制备了(Ca,Sb)共掺杂TiO2陶瓷(CSTO)，分析了化学元素的晶体结构、微观结构、介电性能、压敏性能和价态，揭示了巨介电材料的形成机理，结果表明，掺杂量对CSTO陶瓷的微观结构和性能有显著影响，Ca和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能，当掺杂量为0.04时，介质损耗很低，在室温下，频率范围为20Hz‑10MHz时，(Ca,Sb)共掺TiO2陶瓷的介电常数大于104，介电损耗小于0.5，而在1kHz时，介电损耗低至0.1，解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。
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公开(公告)号：CN114262223A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111631660.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
Abstract: 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，用闪烧法制备了组成为(In0.5Ta0.5)0.05Ti0.95O2的TiO2基巨介电陶瓷，在快速烧结时，试样置于管式炉中，试样两端连接直流电源提供电场，以10℃/min的加热速率加热，当样品温度达到1200℃时，保持5min后施加450V/cm～600V/cm的电场，初始预设电流为0.5A，当施加电场时，电流每5min增加0.1A直到达到限制电流0.7A，然后关闭直流电源，将样品冷却至室温得到这种In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷，与常规烧结相比，这种快速烧结方法可将加工时间缩短15倍，烧结温度降低200℃，晶粒尺寸明显更小，组织更均匀。
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公开(公告)号：CN114349495A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210011125.9
申请日：2022-01-06
Applicant: 安徽工业大学 , 中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112 , H01C7/12 , H01C17/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷、制备方法及其应用，用闪烧法制备了稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷，在闪烧时，试样置于管式炉中，试样两端连接直流电源提供电场，以10℃/min的加热速率加热，当样品温度达到950℃时，保持15min后施加150V/cm～300V/cm的电场，初始预设电流为0.5A，当施加电场时，电流每5s增加0.5A直到达到限制电流2.5A，然后关闭直流电源，将样品冷却至室温得到这种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷，与常规烧结相比，这种快速烧结方法可将加工时间缩短15倍，解决了高温下较长的烧结时间会导致氧化锌压敏陶瓷晶粒异常生长，从而导致烧结样品的最终电学性能变差的问题。
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公开(公告)号：CN114804848A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210410836.3
申请日：2022-04-19
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/465 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及多铁材料技术领域，具体涉及一种具有优异磁性能的铁酸铋‑钛酸钙‑钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法，本发明采用标准固相反应烧结法，其过程包括按照正确的化学计量比称重、配料、一次球磨、烘干、过筛，在880‑900℃进行试预烧，试预烧过后的粉末然后再进行二次球磨、烘干、过筛，压片，得到BiFeO3基陶瓷生坯，最后在950℃的高温烧结成瓷。该陶瓷在具有优异磁性能的表现出良好的铁电性、磁性，同时该制备方法实施简单、可大批量制作。
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公开(公告)号：CN118546659A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410603527.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 本发明涉及磁制冷材料研制技术领域，具体涉及一种基于三价铕离子掺杂的镧系钙钛矿近室温磁制冷材料、制备方法及其应用，所述的钙钛矿锰氧化物是Lax‑0.05Eu0.05A1‑xMnO3(x＝0.7～0.8，A为Ag、Na、K中的一种或两种元素)。本发明通过微量掺入三价铕离子(Eu3+)来替换镧离子(La3+)，增强MnO6八面体畸变程度，减弱材料中Mn3+/Mn4+之间的双交换相互作用将居里温度TC调节至近室温，并增强自旋‑晶格耦合作用来提升材料的磁热性能。
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